廣泛變頻器、SVG、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風力發電變流器等行業的“across-the-bus”功率線路設計，適用所有IGBT模塊區域尖峰電壓的吸收保護

額定電壓 ? 700V.DC~3000V.DC ?

額定容量 ? 0.0047μF~10μF ?

溫度范圍 ? -40°C~85°C ?

容量偏差 ? ±5%, ±10% ?

極間耐電壓 ? 2Ur(DC) 10s 25±5℃ ?

極殼耐電壓 ? 3000V 50Hz 60S, 25±5℃ ?

損耗角正切 ? Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr＞1.0μF tgδ≤6×10-4 ?

絕緣電阻 ? C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S ?

預期壽命 ? 100000h at Ur and 70℃ ?

雙面金屬化薄膜、無感結構、低等效串聯電感、可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電，ESR小，具有自愈性等。

IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。

IGBT Modules 在使用中的注意事項

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。

此外，在柵極-發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近 IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。