厚度范圍400-990μm精確度≤±0.5μmRES低阻測量范圍是0.001~0.999Ω·cm;高阻測量范圍是0.2~199.9Ω·cm精確度≤±2%平整度精確度≤±0.15μm型號準確無誤。
測量硅片表面幾何參數,以及電阻率型號等厚度可測中心點,可測全表面2000余點,出最大最小值平整度測量兩種測量方式,局部平整度測量4種方式,電阻率測量范圍為中心至邊緣(尺寸不同,距離邊緣距離有差別)。 2100433B
《公路交通科技名詞》第一版。2100433B
《硅片局部平整度非接觸式標準測試方法(GB/T 19922-2005)》由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。本標準起草單位:洛陽單晶硅有限責任公司、中國有色金屬工業標準計量質量研究所。本標準試驗驗證單位:北京有色金屬研究總院。本標準主要起草人:史舸、蔣建國、陳興邦、賀東江、王文、鄧德翼。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會負責解釋。本標準為首次發布。2100433B
1996年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。