中文名 | 鋯鈦酸鉛鑭陶瓷 | 外文名 | PLZT |
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制成者 | Haertling G H |
PLZT屬于ABO3鈣鈦礦型結構,立方晶系,晶胞參數a=4.078?,A離子(Pb2 或La3 )處于立方體的八個角頂上;B離子(Ti4 或Zr4 )處于體心位置;O2-離子位于六個面心位置,共同構成氧八面體。B離子處于氧八面體中心。Zr4 (或Ti4 )-O2-八面體的8個{111}面均垂直于<111>軸。
立方α相PLZT結構示意圖
PLZT系統室溫相圖
在PLZT中,A位由Pb2 及La3 離子填充,根據電中性條件,由B位(Ti4 或Zr4 )形成空位來補償電荷,每置換入4個La4 ,在B位上產生一個空位。因此,PLZT陶瓷材料的化學式為Pb1- X La X(ZrYTi1-Y)1-X/4O3。
PLZT系統在室溫下的相圖。PLZT在室溫時保持了PbTiO3-PbZrO3陶瓷的各相。隨著La加入量的增加,使反鐵電相(AFE)和四方鐵電相(FETet)擴大,相對而言,菱方鐵電相(PERh)減小。由于組成點更接近于順電相(FECub),可見La的增加,降低了居里溫度TC。相圖中交叉線所示區域為菱方鐵電(PERh)、四方鐵電(FETet)、正交反鐵電相(AFE)、和順電相(FECub)的共存介穩區,在該相中的組成具有電光性質。居里點下降到室溫時,介電常數達到最大值,其相變為擴散型相變,即使在TC以上的一定溫度內,加上電場或應力也會誘導鐵電相。
鋯鈦酸鉛鑭陶瓷( PLZT) 是屬PZT鋯鈦酸鉛系壓電陶瓷。Haertling G H是在1970年用球磨和熱壓燒結工藝制備了透明的光電陶瓷PLZT。一種鐵電陶瓷光電材料。其光學特性可被電場或者通過拉伸或壓縮而改變。用于各種光電存儲器和顯示設備中。亦稱為摻鑭鋯[酸鉛]鈦酸鉛。
變頻電纜BPYJVTP2-TK 銅芯交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅絲纏繞銅帶繞包變頻器用回路電纜。ZRBPYJVTP2-TK銅芯交聯聚乙烯絕緣阻燃聚氯乙烯護套銅絲纏繞銅帶繞包變頻器用回路電纜。BPYJV...
結合建筑圖看看,看著這個位置是個什么樣的節點就可以了。
不需要單構件定義的,雨篷梁用過梁定義布置,雨棚用現澆板定義布置就可以
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介紹了一種sol-gel方法合成PLZT反蛋白石結構。以單分散的聚苯乙烯亞微米球人造蛋白石為模板,通過調整的溶膠-凝膠方法制備PLZT溶膠,再將溶膠前驅體填充在模板中。填充后的模板緩慢升溫到750℃煅燒,排除有機成分并使PLZT結晶。通過這種方法,可以借助微球直徑為400nm的模板得到孔隙直徑在280nm的PLZT反蛋白石結構材料。
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1 選擇題: 1.CPM1A 機型中保持繼電器的英文縮寫為( HR )。 A、 IR B 、 HR C、 TR D、 LR IR: 內部繼電器 HR:保持繼電器 LR:鏈接繼電器 AR:輔助記憶繼電器 SR:特殊輔助繼電器 2.PLC 是在( A )基礎上發展起來的。 A、 電氣控制系統 B、 單片機控制系統 C、 工業電腦 3.TR 表示(B)。 A、 輸入繼電器 B、 暫存繼電器 C、 內部繼電器 D、 鏈接繼電器 4.CPM1A 機型中的普通定時器的定時范圍為( A )。 A、 0-999.9s B 、 0-99.9s C、 0-9999.9s D 、 6553.5s 普通定時器的最小定時單位 0.1S,定時范圍為 0—999.9S,設定值 SV 的取值范 圍是 0---9999,實際定時時間為 SV*0.1S. 5.定時器 TIM 的參數 SV 的設定值不可以為( D )。
PLZT電光陶瓷是一種典型的透明鐵電陶瓷,這種材料具有較高的光透過率和電光效應,人工極化后還具有壓電、光學雙折射等特性。隨著其制備工藝的發展,拓寬了 PLZT 材料的應用范圍。PLZT 的電光效應是最具有應用意義的方面。透明PLZT陶瓷具有電光系數大、響應速度快、可得到大尺寸材料等優點,是一種很好的電光陶瓷材料。由于PLZT 組分的變化,其電光效應表現為多樣性,適當地選擇組分可滿足實際應用的需要。因其具有優異的電光效應,使之成為光通訊領域重要的候選材料之一。利用 PLZT 透明陶瓷的電光效應可以實現對入射光的相位、強度、偏振和方向的控制,也可通過電調節使入射的白光成有色光,成為電控濾色片;通過組分的調節,還可以用作為光存儲、光顯示、圖象處理等光電器件的關鍵部件。PLZT透明陶瓷在電場作用下呈現的光學行為,實質是由電疇在電場作用下的轉向引起的,而這類轉向可以在很小的范圍內單獨進行并不影響其周圍區域的狀態,因此PLZT的開關、衰減、濾色的作用可在很小范圍內單獨實現,具有高靈敏度、高分辨率的優點。其主要應用領域有光閘、光濾波、顯示和空間光調制等。利用PLZT陶瓷的電控可變雙折射效應能制作二維 Si/PLZT混合集成空間光調制器,它由硅集成電路做成的光探測器和放大器以及PLZT光調制器組成,具有將硅集成計算效能與光互連通訊效能相結合的能力以及提高并行速度的特點;利用 PLZT的電控變雙折射特性,采用偏置應變技術,可以制成映像存儲器件、偏振應變PLZT編頁器等。
利用PLZT陶瓷的電控可變光散射效應,可以開發出一系列具有不同性能的光開關器件,如新型偏振無關光開關、寬譜嚴格無阻塞 PLZT空分矩陣光開光、全波段亞微秒級響應的單片PLZT門集成尾纖封裝關開關等。另一方面,PLZT 薄膜的制備,特別是非晶薄膜的成功制備,更加吸引了人們的興趣。因為非晶薄膜比晶體薄膜的生長要容易得多,這將大大降低成本;最重要的是這種非晶薄膜表現出鐵電性或者叫類鐵電性。鐵電薄膜具有許多優良的物理性質和效應,如鐵電開關特性、壓電效應、熱釋電效應、電光效應、聲光效應、光折變效應和非線性光學效應等。因此鐵電薄膜在微電子、光電子、集成光學和微機械學等領域有著重要的應用,如熱電傳感器、鐵電記憶元件、電光開關以及電子元器件的微集成等。這些正是人們關注的熱點。
因原料類型、制法差異、所得產品品種不同,還分別具有、耐高溫、耐腐蝕、耐沖刷、高強度等優異特性。
常用的光學陶瓷有氧化鋁、氧化鎂、三氧化二釔(Y2O3)、氟化鈣、氧化鈹、三氧化二釓(Gd2O3)、氧化鈣、氧化釷(ThO2)和鋯鈦酸鉛鑭陶瓷(PLZT)等。
提出以壓電體(PZT、PLZT或PMN)為驅動源構造一種新型高頻疲勞試驗機構,研究它的系統構成方法,以及在結構設計、交變加載、精度控制、頻率跟蹤等方面的基礎理論與基本技術問題,解決系統諧振與慢變參數下系統動態穩定性問題。為高頻率、小體積的壓電驅動式高頻疲勞試驗機設計與制造提供依據,為微小與硬脆材料構件、高頻受力構件疲勞性能的檢測提供一種新方法。實現壓電驅動下較高穩定性與準確性的高頻拉壓交變加載,并以數個試樣的有效性試驗為例,確認高頻疲勞檢測的可行性;試制雙晶片壓電振子式、壓電疊堆驅動式高頻疲勞試驗樣機構每種最少2臺。計劃發表論文總數不少于10篇,完成博士論文2部、碩士論文2部,申報或獲得專利權兩項。