PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底,其中的多數載流子是電子,少數載流子是空穴,源漏區的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電壓,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時,在相對于源端為負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電流的數值越大。
與NMOS一樣,導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區,臨界飽和點和飽和區。當然,不論NMOS還是PMOS,當未形成反型溝道時,都處于截止區,其電壓條件是
VGS 值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是負值。 PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。 MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規模大的集成電路。 各種場效應管特性比較 在2004年12月的國際電子器件會議(IEDM)上表示:雙應力襯墊(DSL)方法導致NMOS和PMOS中的有效驅動電流分別增加15%和32%,飽和驅動電流分別增加11%和20%。PMOS的空穴遷移率在不使用SiGe的情況下可以提高60%,這已經成為其他應變硅研究的焦點。2100433B
MOSFET共有三個腳,一般為G、D、S,通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像,所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說,NMOS是在P型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成N型的摻雜區,作為NMOS的源漏區;PMOS是在N型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成P型的摻雜區,作為PMOS的源漏區。兩塊源漏摻雜區之間的距離稱為溝道長度L,而垂直于溝道長度的有效源漏區尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構,器件源漏是完全對稱的,只有在應用中根據源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P 區,分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,柵極上加有足夠的負電壓(源極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當的偏壓,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。 P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后,多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。
1、當風吹過阻擋物時,在阻擋物的背風面上方端口附近氣壓相對較低,從而產生吸附作用并導致空氣的流動。2、它就是把氣流由粗變細,以加快氣體流速,使氣體在文氏管出口的后側形成一個“真空”區。當這個真空區靠近...
從熱力學的角度看,為什么熱管會擁有如此良好的導熱能力呢?物體的吸熱、放熱是相對的,凡是有溫度差存在的時候,就必然出現熱從高溫處向低溫處傳遞的現象。從熱傳遞的三種方式:輻射、對流、傳導,其中熱傳導最快。...
二極管是一種單向導電的半導體電子元件。 二極管是由一種叫PN結的半導體制成,從P型半導體中引出導線叫正極,從N型半導體中引出導線叫負極。 二極管有電...
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隨著金屬氧化物半導體場效應管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比縮小邁向45nm技術節點,金屬柵極已應用于新型MOSFET器件,改善了與高k柵介質的兼容性,并消除了傳統多晶硅柵極的柵耗盡及硼穿透等效應.文章綜述了pMOS器件金屬柵極材料的發展歷程、面臨的主要問題以及未來的研究趨勢等.
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江陰市新橋建筑工程構件廠 江陰市新橋建筑工程構件廠 頂管的工作原理 工作原理 頂管技術是一項用于市政施工的非開挖掘進式管道鋪設施工技 術。優點在于不影響周圍環境或者影響較小,施工場地小,噪音小。 而且能夠深入地下作業, 這是開挖埋管無法比擬的優點。 但是頂管技 術也有缺點,施工時間較長,工程造價高等。 頂管施工是繼盾構施工之后而發展起來的一種地下管道施工方 法,它不需要開挖面層,并且能夠穿越公路、鐵道、河川、地面建筑 物、地下構筑物以及各種地下管線等。 頂管施工借助于主頂油缸及管 道間中繼間等的推力, 把工具管或掘進機從工作井內穿過土層一直推 到接收井內吊起。 與此同時,也就把緊隨工具管或掘進機后的管道埋 設在兩井之間,以期實現非開挖敷設地下管道的施工方法。 江陰市新橋建筑工程構件廠始建于一九九五年, 位于江陰市東大 門,緊鄰張家港市區。座落在毛紡之鄉——新橋鎮。本廠是一家專業 生產水泥管
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導通,適合用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。需要注意的是,Vgs指的是柵極G與源極S的電壓,即柵極低于電源一定電壓就導通,而非相對于地的電壓。但是因為PMOS導通內阻比較大,所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。
改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當的偏壓,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后,多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖1所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。
MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規模大的集成電路。
mos晶體管簡介
?MOS晶體管金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構 成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC