這種材料的熱膨脹系數可調，熱導率高，耐高溫性能優異，在電子封裝中得到了廣泛的運用。銅鉬銅材料屬于金屬基平面層狀復合型電子封裝材料，這類電子封裝復合材料的結構是層疊式，一般分為三層，中間層為低膨脹材料層，兩邊為高導電導熱的材料層，當然，也有兩層，或者四層復合層板。生產工藝一般采用軋制復合，電鍍復合，爆炸成形等方法加工制備的，這類材料在平面方向有很好的熱導率和較低的膨脹系數，并且基本上不存在致密問題，此外，這種材料加工成本比較低，例如可以成卷的連續軋制復合生產Cu/Invar/Cu復合板材，能夠大大降低生產成本，還可加工成70um箔材，可以廣泛的應用于PCB的芯層和引線框架材料。由于CMC理論熱導率高、膨脹系數與Si相匹配，早在上世紀90年代，國內外專家學者就對其進行了深入研究，美國的AMAX公司和Climax Specialty Metals公司利用熱軋復合的方法，生產出來Cu/Mo/Cu（CMC）復合材料，并申請了專利，已用在B2隱形轟炸機的電子設備上.CMC的結構與CIC一樣都是三層復合結構，但硬度、抗拉強度、熱導率和電導率卻比CIC高的多，這是因為CMC的中間是鉬板，而鉬的強度、導電、和導熱性都要高于Inar合金。

美國Polymetallurgical、Polese、Elcon等公司采用在線連續軋制復合的技術可生產多種尺寸、局部或全包復的電子封裝材料，與Mo/Cu、W/Cu等粉末冶金方法生產的顆粒增強型電子封裝材料相比，軋制復合方法生產平面復合型電子封裝材料的效率高，生產成本低，并且可以生產大尺寸的封裝材料，因此平面復合型電子封裝材料非常有利于電子行業的生產，容易產生“規模效益”。Ploymetallurgical公司在包復型材料的生產上是行業內的引導者，公司的產品非常全面，可以生產Ag/Cu、Ni/Cu、Au/Ni、CIC和CMC等局部或全面復合型封裝材料，尺寸控制精確，其中CMC的性能在國際上處于一流水平。國內也有楊揚和李正華等人試驗了爆炸復合方法制備CMC電子封裝材料的可行性，對爆炸復合CMC封裝材料界面的結合機制進行了詳細的研究。研究發現Cu/Mo/Cu爆炸復合材料有波形結合界面和平直結合界面。波形界面上存在熔區，熔區內為Cu與Mo的非晶態混合組織，其組成為Cu約占90%，Mo約占10%，熔區內的顯微硬度為1220MPa高于Cu基體的顯微硬度（80MPa）低于Mo基體的顯微硬度（2100MPa）。結果表明，用爆炸復合方法一次性制備Cu/Mo/Cu復合材料是可行的，恰當的工藝參數可制得無顯微裂紋的復合材料，但是爆炸復合的制備方法較為復雜，且成本較高，不適合規模化生產。國內還有江蘇鼎啟科技有限公司 正在研發的高熱導鉚合型銅鉬銅材料項目，已經取得了可喜的進展。

Cu/Mo/Cu電子封裝材料具有優良的導熱性能和可調節的熱膨脹系數，是國內外大功率電子元器件首選的電子封裝材料，并能與Be0、Al203陶瓷匹配，廣泛用于微波、通訊、射頻、航空航天、電力電子、大功率半導體激光器、醫療等行業。例如，現在國際上流行的BGA封裝就大量采用該材料作為基板。另外，在微波封裝和射頻封裝領域，也大量采用該材料做熱沉。在軍用電子設備中，它常常被采用為高可靠線路板的基體材料。

CMC也是我國諸多高技術領域所必需的關鍵性配套材料，是我國高端電子產品開發與生產的基礎，例如，現代的微波通信發射裝置、電力電子器件、高性能集成電路、網絡通信器件等產品，都需要這種性能優良的封裝材料。2100433B

鉬銅是鉬和銅的復合材料,一種很好的替代銅、鎢銅應用的材料。

鉬銅合金綜合銅和鉬的優點,高強度、高比重、耐高溫、耐電弧燒蝕、導電電熱性能好、加工性能好。采用高品質鉬粉及無氧銅粉,應用等靜壓成型(高溫燒結-滲銅),組織細密,斷弧性能好,導電性好,導熱性好,熱膨脹小。

從礦床成因看，鉬銅礦成因類型可劃分為斑巖型、接觸交代型、火山熱液型、熱液型四種成因類型。全省鉬礦儲量主要來源于斑巖型礦床，接觸交代型次之。斑巖型鉬礦數量雖少，但資源量大。小興安嶺一張廣嶺地區鉬礦金屬儲量以斑巖型為主。接觸交代型次之，就鉬銅礦產地數量而言，以熱液型數量居多，但資源量較少。 2100433B

本規范適用于制造軍用大功率微電子器件作為熱沉封接材料與三氧化二鋁陶瓷封接和結構材料用鉬銅合金棒，也適用于制造民用大功率微電子器件中高熱導定膨脹封接熱沉用鉬銅合金棒。