由于玻璃基板的厚度和保護膜距離基板的距離相近，均為6mm左右，所以這些吸附在掩模上的顆粒距離掩模圖形面（Cr面）的距離都在6mm左右。現代投影式光刻機的聚焦深度（DOF）最多也就是在1~2um，這遠小于6mm。因此，在曝光時，這些附著在玻璃和保護膜上的顆粒，只能在晶圓表面形成一個非常模糊的像，對局部的光強產生的干擾很小。只有當這些顆粒的尺寸大到一定程度時，其在晶圓上產生的陰影才可能在光刻膠上留下圖形。圖1是吸附在Cr圖形上的顆粒與吸附在保護膜上的顆粒成像的對比示意圖 。

圖1 在Cr圖形上的顆粒與吸附在保護膜上的顆粒成像對比示意圖

掩模保護膜使光透過率減少，并使成像變得更加模糊，如圖2所示 ：

理論計算表明，只要這些顆粒和模版上Cr圖形之間的距離（即掩模的厚度或保護膜的高度）大于t，它們對局部光強的影響就不會超過10%。t定義為

式中，M是光刻系統成像的倍數，對于現代光刻機M=4；d是顆粒的直徑。前面已經介紹了t6mm，假設光刻機的數值孔徑NA=0.5，據此，我們可以估算出掩模上所允許的最大的顆粒尺寸，d0.18mm。

G-線和Ⅰ-線掩模版所使用的保護膜是高分子量的硝化纖維樹脂（high-molecular-weight nitrocellulose polymers）。硝化纖維樹脂薄膜的制備工藝如下：首先把硝化纖維樹脂的溶液旋涂在平整的玻璃表面；在適當的溫度烘干后，把薄膜從玻璃表面揭下。最后把薄膜切割成所需要的尺寸。但是，硝化纖維樹脂在DUV波段有較高的吸收系數，因此不能用于248nm。和193nm波長。248nm和193nm保護膜的材質一般是含F的樹脂（amorphous fluoropolymers），例如，聚四氟乙烯（teflon）。保護膜的厚度一般在1um左右，可以針對不同的波長做進一步優化。對保護膜材質的要求除了必須具有很高的透明度外，在光照下還不能釋放對掩模有害的氣體成分。新型保護膜材料還在不斷研發中，研發的方向就是含F的聚合物 。

在平面晶體管和集成電路的制造過程中，要進行多次光刻。為此，必須制備一組具有特定幾何圖形的光刻掩模。制版的任務就是根據晶體管和集成電路參數所要求的幾何圖形，按照選定的方法，制備出生產上所要求的尺寸和精度的掩模圖案，并以一定的間距和布局，將圖案重復排列于掩模基片上，進而復制批量生產用版，供光刻工藝曝光之用。

宋體]相關掩模技術，是指利用遙感影像拷貝產生的許多彼此能精確重疊的正負片，通過不同組合及相互疊掩的方法，進行影像反差調整、邊緣增強等攝影處理的技術。2100433B

旦晶圓片空白基板完成后，就必須做好掩模 。一個典型的薄膜掩模制造的附加程序為：一層薄的鉭/金電鍍基底淀積在做好的空白基板上，而且一層厚的模板膠被旋涂覆并烘烤。薄的鉻層被淀積在模板膠上，再涂上光刻膠。