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采用快速熱化學氣相沉積方法在氧化鋁和氮化鋁陶瓷襯底上制備多晶硅薄膜及太陽電池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在經過區再結晶后增大且霍爾遷移率提高,但隨后的薄膜生長發現薄膜出現裂紋,影響了電池的效率,在Al_2O_3襯底上得到196mV開路電壓,1．93mA短路電流；在AIN襯底上得到310mV開路電壓,5．31mA短路電流。
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