晶閘管T在工作過程中，它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。

定義:應用PNPN四層半導體結構和三極(陰極，陽極，門極)實現可控整流功能。

KP型晶閘管又叫普通晶閘管，最基本的用途就是可控整流。不具備其他快速關斷，雙向等特點。

特點:全擴散工藝

平板陶瓷封裝

中心放大門極結構

雙面冷卻

特點:

1:全封閉陶瓷-金屬螺柱型結構

2:全封閉玻璃-金屬螺柱柱形結構

符號JB/T8949.2-1999標準

1. 晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關短狀態。

2. 晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。

3. 晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。

4. 晶閘管在導通情況下，當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時，晶閘管關斷。

?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅動功率、快速的開關過程和晶閘管的高電壓大電流、低導通壓降的特點結合起來，也是Bi-MOS器件的一種。一個MCT器件由數以萬計的MCT元組成，每個元的組成為:一個PNPN晶閘管，一個控制該晶閘管開通的MOSFET，和一個控制該晶閘管關斷的MOSFET。

MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態壓降的特點。其通態壓降只有GTR的1/3左右，硅片的單位面積連續電流密度在各種器件中是最高的。另外，MCT可承受極高的di/dt和du/dt，使得其保護電路可以簡化。MCT的開關速度超高GTR,開關損耗也小。

總之，MCT曾一度被認為是一種最有發展前途的電力電子器件。因此，20世紀80年代以來一度成為研究的熱點。但經過十多年的努力，其關鍵技術問題沒有大的突破，電壓和電流容量都遠未達到預期的數值，未能投入實際應用。而其競爭對手IGBT卻進展飛速，所以，目前從事MCT研究的人不是很多。