極限真空度：≤4x10-5 Pa (經(jīng)12小時烘烤除氣后)； 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣，60分鐘可達到5x10-4 Pa；。

鍍膜。

鍍膜厚度2-3微米；摩擦系統(tǒng)小于0.15。

當今國內(nèi)外表面技術(shù)的發(fā)展和實際應(yīng)用，應(yīng)把各類表面技術(shù)作為一個系統(tǒng)工程進行優(yōu)化設(shè)計和優(yōu)化組合。

表面復(fù)合鍍膜處理從技術(shù)上看，這種優(yōu)化組合在很大程度上就是一種“表面復(fù)合處理”技術(shù)。在強束流的金屬離子注人技術(shù)不理想的條件下，運用鍍膜與離子注人的復(fù)合，即離子反沖注人技術(shù); 先用離子束輔助涂覆(IAC)，再用輕離子的離子束轟擊涂層表面，使徐層元素部分混人基體。

因轟擊中的離子和涂層中的金屬原子間的化學(xué)反應(yīng)，使涂層部分地或全部地轉(zhuǎn)變成氮化物或氧化物，使涂層性能得到提高; 用離子輔助沉積(AD) 在鋼、鎳、碳纖維增強鋁合金及Si₃Al 上沉積Si₃N₄ 梯度薄膜。目前已沉積出一側(cè)具有熱、電絕緣性能，而另一側(cè)具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能的薄膜材料。用激光、電子束與氣相沉積技術(shù)復(fù)合，如在Al上沉積的Ti或Al粒子，在通入N₂或O₂的同時，用CO₂激光照射，可在AI 表面上形成高硬度的TIN或Al₂O₃，使AI 的耐磨性能提高103~ 10倍。

光學(xué)薄膜在高真空度的鍍膜腔中實現(xiàn)。常規(guī)鍍膜工藝要求升高基底溫度(通常約為300℃)；而較先進的技術(shù)，如離子輔助沉積(IAD)可在室溫下進行。IAD工藝不但生產(chǎn)比常規(guī)鍍膜工藝具有更好物理特性的薄膜，而且可以應(yīng)用于塑料制成的基底。圖19.11展示一個操作者正在光學(xué)鍍膜機前。抽真空主系統(tǒng)由兩個低溫泵組成。電子束蒸發(fā)、IAD沉積、光控、加熱器控制、抽真空控制和自動過程控制的控制模塊都在鍍膜機的前面板上。圖19.12示出裝配在高真空鍍膜機基板上的硬件布局。兩個電子槍源位于基板兩邊，周圍是環(huán)形罩并被擋板覆蓋。離子源位于中間，光控窗口在離子源的前方。圖19.13示出真空室的頂部，真空室里有含6個圓形夾具的行星系統(tǒng)。夾具用于放置被鍍膜的光學(xué)元件。使用行星系統(tǒng)是保證被蒸發(fā)材料在夾具區(qū)域內(nèi)均勻分布的首選方法。夾具繞公共軸旋轉(zhuǎn)，同時繞其自身軸旋轉(zhuǎn)。光控和晶控處于行星驅(qū)動機械裝置的中部，驅(qū)動軸遮擋晶控。背面的大開口通向附加的高真空泵。基底加熱系統(tǒng)由4個石英燈組成，真空室的兩邊各兩個。

薄膜沉積的傳統(tǒng)方法一直是熱蒸發(fā)，或采用電阻加熱蒸發(fā)源或采用電子束蒸發(fā)源。薄膜特性主要決定于沉積原子的能量，傳統(tǒng)蒸發(fā)中原子的能量僅約0.1eV。IAD沉積導(dǎo)致電離化蒸汽的直接沉積并且給正在生長的膜增加活化能，通常為50eV量級。離子源將束流從離子槍指向基底表面和正在生長的薄膜來改善傳統(tǒng)電子束蒸發(fā)的薄膜特性。

薄膜的光學(xué)性質(zhì)，如折射率、吸收和激光損傷閾值，主要依賴于膜層的顯微結(jié)構(gòu)。薄膜材料、殘余氣壓和基底溫度都可能影響薄膜的顯微結(jié)構(gòu)。如果蒸發(fā)沉積的原子在基底表面的遷移率低，則薄膜會含有微孔。當薄膜暴露于潮濕的空氣時，這些微孔逐漸被水汽所填充。

填充密度定義為薄膜固體部分的體積與薄膜的總體積(包括空隙和微孔)之比。對于光學(xué)薄膜，填充密度通常為0.75～1.0，大部分為0.85～0.95，很少達到1.0。小于l的填充密度使所蒸發(fā)材料的折射率低于其塊料的折射率。

在沉積過程中，每一層的厚度均由光學(xué)或石英晶體監(jiān)控。這兩種技術(shù)各有優(yōu)缺點，這里不作討論。其共同點是材料蒸發(fā)時它們均在真空中使用，因而，折射率是蒸發(fā)材料在真空中的折射率，而不是暴露于潮濕空氣中的材料折射率。薄膜吸收的潮氣取代微孔和空隙，造成薄膜的折射率升高。由于薄膜的物理厚度保持不變，這種折射率升高伴有相應(yīng)的光學(xué)厚度的增加，反過來造成薄膜光譜特性向長波方向的漂移。為了減小由膜層內(nèi)微孔的體積和數(shù)量所引起的這種光譜漂移，采用高能離子以將其動量傳遞給正在蒸發(fā)的材料原子，從而大大增加材料原子在基底表面處凝結(jié)期間的遷移率。