非晶硅薄膜晶體管（a-Si：H TFT--amorphous silicon thin film transistor）溝道采用非晶硅材料制成。由于非晶硅可以淀積在各種大面積的襯底上，所以生產成本低廉，得到了廣泛的應用。

中文名稱

非晶硅薄膜晶體管

英文名稱

α-Si∶H thin film transistor,TFT

定　　義

利用氫化非晶硅具有敏感的場效應特性制備的薄膜場效應晶體管。具有很低的關斷電流和很高的開關電流比，廣泛用于液晶顯示屏和平面攝像器件的地址矩陣。

應用學科

材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），非晶和微晶半導體材料（三級學科）

非晶硅是一種直接能帶半導體，它的結構內部有許多所謂的“懸鍵”，也就是沒有和周圍的硅原子成鍵的電子，這些電子在電場作用下就可以產生電流，并不需要聲子的幫助，因而非晶硅可以做得很薄，還有制作成本低的優點。

氧化物薄膜晶體管和非晶硅薄膜晶體管的主要區別是電子通道的材料是氧化物而不是非晶硅。常用的襯底為二氧化硅。薄膜晶體管主要應用于液晶顯示器（LCD）和有機發光半導體（OLED）中。在傳統的晶體管中，半導體材料為襯底，如晶圓。

薄膜晶體管（thin film transistor, TFT）是平板顯示的核心器件，不論AMLCD顯示還是AMOLED顯示，其每一個像素都依賴TFT進行開關和驅動。根據TFT有源層半導體材料的不同，當前主流的TFT技術可分為氫化非晶硅（a-Si:H）TFT、低溫多晶硅（low-temperature poly-Si, LTPS。TFT和非晶氧化物（AOS）TFT。

其中，a-Si:HTFT和poly-Si TFT已經在平板顯示面板工藝中實現了大面積產業化。然而，a-Si:H TFT較低的遷移率（<1cm²/Vs）不能滿足下一代平板顯示的驅動要求，而poly-Si TFT較差的大面積均勻性使其主要面向小尺寸顯示的應用中。

另一方面，氧化物TFT以其遷移率較高（幾~幾十cm²/Vs）、大面積均勻性較好、制備工藝溫度較低等諸多優勢被認為最有可能應用于下一代平板顯示中。