中文名稱

非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池

英文名稱

amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell

定　　義

由摻雜非晶硅發(fā)射區(qū)、極薄非晶硅本征層(數(shù)納米厚)和晶體硅基區(qū)構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)電池。用以改善電池表面的鈍化特性和降低電池的制備溫度(200℃以下)。

應(yīng)用學(xué)科

材料科學(xué)技術(shù)（一級學(xué)科），半導(dǎo)體材料（二級學(xué)科），非晶和微晶半導(dǎo)體材料（三級學(xué)科）

非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池（AmorphousSilicon/CrystallineSiliconHeterojuncionSolarCells）是太陽電池中深具代表性的一類，具有開路電壓高、填充因子高、轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點，具有廣闊的技術(shù)進步空間和市場發(fā)展前景。

沃爾夫?qū)と鸺{·法赫納主編的《非晶硅晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池(精)》介紹了非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的基本結(jié)構(gòu)和制備技術(shù)，討論了其市場潛力，概述了非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的發(fā)展歷史，論述了其構(gòu)成材料及能帶結(jié)構(gòu)，分步詳解了其制備工藝，包括拋光、腐蝕、制絨、本征層、背電場、減反射層及金屬層沉積等；本書還對其結(jié)構(gòu)的合理性進行了論證。非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池現(xiàn)階段的主要問題及挑戰(zhàn)有：基礎(chǔ)材料的選擇、n/p結(jié)構(gòu)或者p/n結(jié)構(gòu)的選擇，表面缺陷態(tài)、晶硅表面鈍化效果的優(yōu)化、發(fā)射極和背電場層。對于測試分析技術(shù)，本書部分列舉了反射、透過、微波測試技術(shù)、光學(xué)及光電測試、橢偏儀、拉曼光譜、光/暗IV曲線、量子效率、光誘導(dǎo)電流等。本書還采用AFORS-HET軟件模擬分析太陽電池的性能并與實驗相比較驗證，并對非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的衰減特性和耐輻射特性進行了測試。本書結(jié)尾列舉了當前實驗室研究所獲得的最優(yōu)太陽電池效率和中國目前相關(guān)研究和產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。

本書可供從事新能源材料、太陽能光伏以及半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域的科技工作者和企業(yè)工程師作為參考，也可作為大專院校相關(guān)專業(yè)師生的教學(xué)參考書。

作者：（德國）沃爾夫?qū)と鸺{·法赫納（Wolfgang Rainer Fahrner）