《硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法(GB/T 19922-2005)》由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:洛陽單晶硅有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所。本標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)驗(yàn)證單位:北京有色金屬研究總院。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:史舸、蔣建國、陳興邦、賀東江、王文、鄧德翼。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)為首次發(fā)布。2100433B
一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感
測試接點(diǎn)電阻的目的是確定接觸點(diǎn)氧化或其它表面薄膜積累是否增加了被測器件的電阻。即使在極短的時(shí)間內(nèi)器件兩端的電壓過高,也會(huì)破壞這種氧化層或薄膜,從而破壞測試的有效性。擊穿薄膜所需要的電壓電平通常在30m...
挺多的,以前國外產(chǎn)品用的多,近幾年國內(nèi)品牌也起來了,現(xiàn)在用的是NDT120
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針對鋁電解槽電磁場的基本原理,提出一種陽極電流非接觸式測試方法即多傳感器測試方法。該方法是在每個(gè)陽極導(dǎo)桿附近,布置多個(gè)測試磁場的傳感器,通過調(diào)節(jié)傳感器的組合方式,得到測試點(diǎn)準(zhǔn)確的磁場,進(jìn)而反推得到各陽極導(dǎo)桿的電流分布。建立了鋁電解槽的骨架模型,對多傳感器測試方法進(jìn)行驗(yàn)證并優(yōu)化。結(jié)果表明:采用3個(gè)傳感器的布置方案,陽極電流的測試誤差減小,誤差分布范圍為0.35%~0.90%;在傳感器1、2的間距為13 mm,傳感器1、4的間距為5 mm的特定布置方案中,陽極電流的測試誤差達(dá)到最小值,平均誤差不超過?0.3%;并且該方法具有安裝簡單、操作方便、精度高以及可實(shí)現(xiàn)在線連續(xù)測量等特點(diǎn)。
測量硅片表面幾何參數(shù),以及電阻率型號等厚度可測中心點(diǎn),可測全表面2000余點(diǎn),出最大最小值平整度測量兩種測量方式,局部平整度測量4種方式,電阻率測量范圍為中心至邊緣(尺寸不同,距離邊緣距離有差別)。 2100433B
厚度范圍400-990μm精確度≤±0.5μmRES低阻測量范圍是0.001~0.999Ω·cm;高阻測量范圍是0.2~199.9Ω·cm精確度≤±2%平整度精確度≤±0.15μm型號準(zhǔn)確無誤。
2015年12月10日,《碳化硅單晶片平整度測試方法》發(fā)布。
2017年1月1日,《碳化硅單晶片平整度測試方法》實(shí)施。