由于SiC材料優(yōu)良的物理化學(xué)性能，以及其在功率半導(dǎo)體器件和軍事上的的巨大潛力SiC基MOSFET器件技術(shù)，將其作為Si基功率器件之后新一代高壓直流輸電的核心器件，對(duì)于提高電能傳輸與轉(zhuǎn)換效率，降低損耗，充分利用電能等具有重要社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。本項(xiàng)目主要針對(duì)不同晶面的槽柵結(jié)構(gòu)的4H-SiC MOSFET器件展開(kāi)研究，進(jìn)行了4H-SiC的碳化硅樣片的氧化實(shí)驗(yàn)，研究了超高溫度氧化對(duì)界面特性、對(duì)SiC氧化過(guò)程及缺陷形成的影響。尤其是掌握在較高溫度（13500C）氧化過(guò)程中，氧化溫度所起的作用和帶來(lái)的不同類型缺陷及界面態(tài)的情況，建立不同氧化溫度下的界面缺陷種類的提取和分布模型；提出了一種新型的L型溝道的Trench結(jié)構(gòu)4H-SiC MOSFET器件的設(shè)計(jì)，該結(jié)構(gòu)將器件的在U型槽拐角去的峰值電場(chǎng)由傳統(tǒng)器件降低了32.3%,擊穿電壓提升了80.4%，該結(jié)構(gòu)為進(jìn)一步提升4H-SiC基功率MOSFETs的功率密度，進(jìn)一步改善柵氧化層的可靠性。開(kāi)發(fā)了新型的槽柵刻蝕關(guān)鍵工藝，建立了隨時(shí)間變化的刻蝕過(guò)程模型，分析了微溝槽的形成、擴(kuò)展以及消除機(jī)理，提出了“高頻鈍化刻蝕”制備無(wú)微溝槽Mesa刻蝕形貌的解決方案。在國(guó)際上首次通過(guò)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)地驗(yàn)證了trench溝槽非等間距多級(jí)場(chǎng)限環(huán)（TMFLRs）終端結(jié)構(gòu)在SiC高壓功率器件中的電場(chǎng)調(diào)制效應(yīng)以及TMFLRs對(duì)器件擊穿電壓的提升作用。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，基于50微米SiC外延材料，采用傳統(tǒng)場(chǎng)限環(huán)結(jié)構(gòu)的器件擊穿電壓僅達(dá)到5.7kV，而采用我們提出的終端結(jié)構(gòu)的器件擊穿電壓達(dá)到6.7kV，終端效率高達(dá)90%。 2100433B

本課題主要針對(duì)高性能碳化硅（112(—)0）面槽柵功率MOSFET器件所面臨的外延材料和器件物理相關(guān)基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題開(kāi)展研究。以研究（112(—)0）面的SiC熱氧化及SiO2/SiC界面缺陷分布與器件性能之間的規(guī)律關(guān)系和闡述相應(yīng)的物理機(jī)理作為主要的研究?jī)?nèi)容，最終制備出（112(—)0）面的槽柵 MOSFET器件作為驗(yàn)證，研制出碳化硅（112(—)0）面槽柵功率MOSFET器件芯片，實(shí)現(xiàn)器件比導(dǎo)通電阻低于2m??cm2，器件擊穿電壓不低于1700，實(shí)現(xiàn)器件的BFOM（BV2/Ron-sp）值達(dá)到1000MW/cm2。

高性能建筑結(jié)構(gòu)與材料研究

浙江大學(xué)高性能建筑結(jié)構(gòu)與材料研究所成立于2010年，組建了來(lái)自德國(guó)、美國(guó)、英國(guó)、日本、法國(guó)、荷蘭和香港地區(qū)長(zhǎng)期留學(xué)和工作的具有國(guó)際化的研究隊(duì)伍。

提出一種以場(chǎng)和路的結(jié)合為基本特征的電磁場(chǎng)工程化方法，對(duì)光纖光柵和變周期介質(zhì)結(jié)構(gòu)的傳輸和輻射特性作系統(tǒng)和深入的研究；為光纖系統(tǒng)和毫米波集成電路中有關(guān)周期結(jié)構(gòu)和精確設(shè)計(jì)提供必要的指導(dǎo)原則和理論基礎(chǔ)。與香港合作伙伴共同研制根據(jù)脈沖壓縮體制，利用各類光纖光柵構(gòu)成的新型光弧子高功率脈沖激光源樣品，供寬頻帶高速率通信系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)使用。