陶瓷基板種類(lèi)主要有:
1.高溫熔合陶瓷基板(HTFC)
2.低溫共燒多層陶瓷(LTCC)
3.高溫共燒多層陶瓷(HTCC)
4.直接接合銅基板(DBC)
5.直接鍍銅基板(DPC)
1-1 HTFC(Hight-Temperature Fusion Ceramic)
HTFC 稱(chēng)為高溫熔合陶瓷基板,將高溫絕緣性及高熱傳導(dǎo)的AL2O3或AIN陶瓷基板的單面或雙面,運(yùn)用鋼板移印技術(shù),將高傳導(dǎo)介質(zhì)材料印制成線路,放置于850~950°C的燒結(jié)爐中燒結(jié)成型,即可完成。有嘉寶瑞實(shí)業(yè)研發(fā),是目前LED基板散熱最前沿。
2-1 LTCC(Low-Temperature Co-fired Ceramic)
LTCC 又稱(chēng)為低溫共燒多層陶瓷基板,此技術(shù)須先將無(wú)機(jī)的氧化鋁粉與越30%~50%的玻璃材料加上有機(jī)粘結(jié)劑,使其混合均勻稱(chēng)為為泥裝的漿料,接著利用刮刀把漿料刮成片狀,再經(jīng)由一道干燥過(guò)程將片狀漿料形成一片片薄薄的生胚,然后依各層的設(shè)計(jì)鉆導(dǎo)通孔,作為各層訊號(hào)的傳遞,LTCC內(nèi)部線路則運(yùn)用網(wǎng)版印刷技術(shù),分別于生胚上做填孔及印制線路,內(nèi)外電極則可分別使用銀、銅、金等金屬,最后將各層做疊層動(dòng)作,放置于850~900°C的燒結(jié)爐中燒結(jié)成型,即可完成。
3-1 HTCC(Hight-Temperature Co-fired Ceramic)
HTCC 又稱(chēng)為高溫共燒多層陶瓷,生產(chǎn)制造過(guò)程與LTCC極為相似,主要的差異點(diǎn)在于HTCC的陶瓷粉末并無(wú)玻璃材質(zhì),因此,HTCC必須在高溫1200~1600°C環(huán)境下干燥硬化成生胚,接著同樣鉆上導(dǎo)通孔,以網(wǎng)版印刷技術(shù)填孔于印制線路,因其共燒溫度較高,使得金屬導(dǎo)體材料的選擇受限,其主要的材料為熔點(diǎn)較高但導(dǎo)電性卻較差的鎢、鉬、錳…等金屬,最后再疊層燒結(jié)成型。
4-1 DBC(Direct Bonded Copper)
DBC 直接接合銅基板,將高絕緣性的AL2O3或AIN陶瓷基板的單面或雙面覆上銅金屬后,經(jīng)由高溫1065~1085°C的環(huán)境加熱,使銅金屬因高溫氧化,擴(kuò)撒與AL2O3材質(zhì)產(chǎn)生(Eutectic)共晶熔體,是銅金屬陶瓷基板粘合,形陶瓷復(fù)合金屬基板,最后依據(jù)線路設(shè)計(jì),以蝕刻方式備至線路。
5-1 DPC(Direct Plate Copper)
DPC 也稱(chēng)為直接鍍銅基板,先將陶瓷基板做前處理清潔,利用薄膜專(zhuān)業(yè)制造技術(shù)—真空鍍膜方式于陶瓷基板上濺鍍于銅金屬?gòu)?fù)合層,接著以黃光微影的光阻被覆曝光,顯影,蝕刻,去膜制程完成線路制作,最后再以電鍍/化學(xué)鍍沉積方式增加線路的厚度,待光阻移除后即完成金屬化線路制作。
l LED照明用基板、高功率LED基板
l PC散熱、IC散熱基板、LED電視散熱基板
l 半導(dǎo)體及體集成電路的散熱基板
l 可替代PCB及鋁基板
l 不需要變更原加工程序
l 優(yōu)秀機(jī)械強(qiáng)度
l 具良好的導(dǎo)熱性
l 具耐抗侵蝕
l 具耐抗侵蝕
l 良好表面特性,優(yōu)異的平面度與平坦度
l 抗熱震效果佳
l 低曲翹度
l 高溫環(huán)境下穩(wěn)定性佳
l 可加工成各種復(fù)雜形狀
1.大功率電力半導(dǎo)體模塊;半導(dǎo)體致冷器、電子加熱器;功率控制電路,功率混合電路。 2.智能功率組件;高頻開(kāi)關(guān)電源,固態(tài)繼電器。 3.汽車(chē)電子,航天航空及電子組件。 4.太陽(yáng)能電池...
陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)接近硅芯片,可節(jié)省過(guò)渡層Mo片,省工、節(jié)材、降低成本; 減少焊層,降低熱阻,減少空洞,提高成品率; 在相同載流量下 0.3mm厚的銅箔線寬僅為普通印刷電路板...
ain陶瓷基板的種類(lèi)主要都是一些有機(jī)分子不同的種類(lèi),氧化碳陶瓷基板、氧化鋁陶瓷基板、DCB陶瓷基板、氧化破陶瓷基板。最好是這幾種。
熱傳導(dǎo)率又稱(chēng)為熱導(dǎo)率,它代表了基板材料本身直接傳導(dǎo)熱能的一種能力,數(shù)值越高代表其導(dǎo)熱能力越好。LED導(dǎo)熱基板最主要的作用就是在于,如何有效的將熱能從LED晶粒傳導(dǎo)到散熱系統(tǒng),以降低LED晶粒的溫度,增加發(fā)光效率與延長(zhǎng)LED壽命,因此,導(dǎo)熱基板熱傳導(dǎo)效果的優(yōu)劣就將成為業(yè)界在選用導(dǎo)熱基板時(shí)重要的評(píng)估項(xiàng)目之一。檢視表一,由把重陶瓷散熱基板的比較可明顯看出,雖然AL2O3材料的熱傳導(dǎo)率約在20~51(W/mK)之間,LTCC為降低其燒結(jié)溫度而添加了30%~50%的玻璃材料,使其熱傳導(dǎo)率降至20~51(W/mK)左右;而HTCC因其普通共燒溫度略低于純AL2O3基板的燒結(jié)溫度,而使其因材料密度較低使得熱傳導(dǎo)系數(shù)低于AL2O3基板約在16~17(W/mK)之間。一般來(lái)說(shuō),LTCC與HTCC導(dǎo)熱效果并不如HTFC、DBC、DPC導(dǎo)熱基板理想
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電子陶瓷基板基片材料性能和種類(lèi) 在電子半導(dǎo)體領(lǐng)域用的大多數(shù)是陶瓷封裝基板,陶瓷基板封裝需要好的高熱導(dǎo)率、 絕緣性等性能,今天小編重點(diǎn)來(lái)講解電子陶瓷基板基片材料的性能和種類(lèi)。 電子陶瓷基板基片材料的性能要求: 電子陶瓷封裝基板主要利用材料本身具有的高熱導(dǎo)率,將熱量從芯片 ( 熱源) 導(dǎo)出,實(shí)現(xiàn)與外界環(huán)境的熱交換。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言,封裝基板必須滿足 以下要求: (1) 高熱導(dǎo)率。目前功率半導(dǎo)體器件均采用熱電分離封裝方式,器件產(chǎn)生的 熱量大部分經(jīng)由封裝基板傳播出去,導(dǎo)熱良好的基板可使芯片免受熱破壞。 (2) 與芯片材料熱膨脹系數(shù)匹配。功率器件芯片本身可承受較高溫度,且電 流、環(huán)境及工況的改變均會(huì)使其溫度發(fā)生改變。由于芯片直接貼裝于封裝基板上, 兩者熱膨脹系數(shù)匹配會(huì)降低芯片熱應(yīng)力,提高器件可靠性。 (3) 耐熱性好,滿足功率器件高溫使用需求,具有良好的熱穩(wěn)定性。 (4) 絕緣性好,滿足器件電
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多層印制電路板陶瓷基板
以難熔金屬鎢、鉬、鉭、鈮為基體,添加固溶強(qiáng)化元素形成以碳化物沉淀相和熱加工方式強(qiáng)化的高溫材料。它的熔點(diǎn)和高溫強(qiáng)度大大超過(guò)高溫合金和彌散強(qiáng)化合金,鎢-鉬和鈮-鎢-鉭合金在1316°C時(shí)的拉伸強(qiáng)度分別達(dá)到 510和 210兆帕(約51和21公斤/毫米2)。鉬合金在1093°C時(shí)的拉伸強(qiáng)度也能達(dá)到 490兆帕(約49公斤/毫米2),都是制造航空燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片、導(dǎo)向葉片和燃燒室的優(yōu)良材料。缺點(diǎn)是受高溫空氣侵蝕時(shí)極易脆化,須在涂層的保護(hù)下使用。鈮合金已被用于制造短時(shí)間工作的火箭發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室和噴管,也有用鉭制造這類(lèi)高溫部件的。用鎢合金絲或鎢纖維增強(qiáng)高溫合金制成高溫復(fù)合材料,可以彌補(bǔ)難熔合金的缺點(diǎn),用作先進(jìn)燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)的渦輪葉片。
對(duì)HFW焊管焊縫熔合線尺寸的測(cè)量與控制,不僅可以為焊接過(guò)程的工藝參數(shù)設(shè)定提供參考,也有利于提升焊管產(chǎn)品的焊接質(zhì)量。
熔合線是HFW 焊接過(guò)程中各工藝參數(shù)的綜合結(jié)果。熔合線尺寸過(guò)小是由于焊接接觸面熔化不充分或熔融金屬被擠出過(guò)多的結(jié)果,這容易導(dǎo)致脆性焊接;熔合線尺寸過(guò)大會(huì)使得大量氧化夾雜物排除不充分而殘留在焊縫中,致使焊縫強(qiáng)度和韌性降低。
熔合線控制技術(shù)的改善,一方面依賴(lài)于成型技術(shù)的改進(jìn),另一方面也依賴(lài)于高頻加熱效應(yīng)的優(yōu)化和氧化物能否充分排出 。
為了便于對(duì)熔合線進(jìn)行識(shí)別和控制,較為快捷直觀的方法是對(duì)焊縫區(qū)形貌進(jìn)行觀察與測(cè)量,即分別測(cè)量焊管壁厚內(nèi)側(cè)、外側(cè)及中心部位亮線的寬度。也就是直接測(cè)量焊管壁厚t內(nèi)、外表面1.0 mm 位置及壁厚1/2位置亮線的寬度值,測(cè)量過(guò)程如圖1所示。