干法刻蝕工藝總結 離子束刻蝕機（ IBE-150A） 背景 : 利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子， 氬離子經(jīng)過陽極電場的加速對樣品表面 進行物理轟擊， 以達到刻蝕的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之類惰性氣體充入離子源放 電室并使其電離形成等離子體， 然后由柵極將離子呈束狀引出并加速， 具有一定 能量的離子束進入工作室， 射向固體表面撞擊固體表面原子， 使材料原子發(fā)生濺 射，達到刻蝕目的，屬純物理過程。 技術指標： 裝片：一片六英寸襯底、或 1片四英寸，向下兼容。 抽氣速度： 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 極限真空度： 2×10-4Pa 離子能量： 300eV-400eV ICP 刻蝕機（ OXFORD ICP 180） 背景 : 通入反應氣體使用電感耦合等離子體輝光放電將其分解， 產(chǎn)生的具有強化學活性 的等離子體在電場的加速作用下移動到樣品表面， 對樣品表面既進行化學

第二章干法刻蝕的介紹 2. 1刻蝕、干法刻蝕和濕法腐蝕 2. 1 .1關于刻蝕 刻蝕，是指用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。 刻蝕的基 本目的，是在涂膠 (或有掩膜 )的硅片上正確的復制出掩膜圖形 [1]。 刻蝕，通常是在光刻工藝之后進行。 我們通常通過刻蝕， 在光刻工藝之后，將想要的圖 形留在硅片上。從這一角度而言，刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉移工藝步驟。 在通常的刻蝕過程中，有圖形的光刻膠層〔或掩膜層 )將不受到腐蝕源顯著的侵蝕或刻蝕， 可作為掩蔽膜， 保護硅片上的部分特殊區(qū)域， 而未被光刻膠保護的區(qū)域， 則被選擇性的刻蝕 掉。 2.1.2 干法刻蝕與濕法刻蝕 在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。 干法刻蝕， 是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體， 通過經(jīng)光刻而開出的掩蔽層窗口， 與暴露于 等離子體中的硅片行物理和化學反應，刻蝕掉硅片上暴露的