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IGBT高頻爐

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)芯片,產自于德國。是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
而IGBT高頻爐,便是基于這個芯片做出的加熱設備。具有省電節流的特點。

IGBT高頻爐基本信息

中文名 IGBT高頻爐 外文名 Insulated Gate Bipolar Transistor
產????地 德國 類????型 半導體器件

1.采用IGBT模塊,節能省電:比電子管式省電30%,比可控硅中頻省電20%;

2.性能穩定:保護措施齊全,無后顧之憂;

3.加熱速度快:感應加熱,無氧化層,變形小;

4.體積小:采用分體式結構,重量輕,移動安裝都方便;

5.環保:沒有污染、噪聲和粉塵;

6.適應性強:能加熱各種各樣的工件;

7.溫度及加熱時間可精確控制,加工質量高。

IGBT 為主要器件,功率電路以串聯振蕩為基本特征,控制電路以頻率自動跟蹤,多閉環控制為主要特點。該設備高集成化、模塊化。效率高、性能穩定、安全可靠。

適用于:

1.各種高強度螺栓、螺母的熱鐓;

2.各種齒輪、鏈輪、軸類的淬火;

3.機床行業的機床床面導軌的淬火處理(車床、銑床、刨床、沖床等)

4 釬鋼、釬具的回火、鍛造、擠壓等的加熱。

5.直徑80以內所有零件的透熱鍛造

IGBT高頻爐造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規格/型號 市場價
(除稅)
工程建議價
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行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
高頻 HTT-500KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高1200×1100×2000 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-60KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×800×1250 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-80KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×800×1250 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-150KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×1100×2000 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-250KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×1100×2000 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-400KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×1100×2000 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-20KVA 直流電壓DC240V 標機內置電池配 置 尺寸(mm)長×寬×高592×250×826 查看價格 查看價格

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材料名稱 規格/型號 除稅
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行情 品牌 單位 稅率 地區/時間
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材料名稱 規格/需求量 報價數 最新報價
(元)
供應商 報價地區 最新報價時間
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將工件放到感應器內,感應器一般是輸入中頻或高頻交流電 (1000-300000Hz或更高)的空心銅管。產生交變磁場在工件中產生出同頻率的感應電流,這種感應電流在工件的分布是不均勻的,在表面強,而在內部很弱,到心部接近于0,利用這個集膚效應,可使工件表面迅速加熱,在幾秒鐘內表面溫度上升到800-1000oC,而心部溫度升高很小。

IGBT高頻爐常見問題

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    中山市奧克斯小家電有限公司的電磁爐igbt價格是1250元 廣東秀寧電器有限公司的電磁爐igbt價格是850元 潮州市楓溪區迅豐家用電器經營部的電磁爐igbt價格是1100元 以上價格源于網絡,僅供參...

IGBT高頻爐文獻

IGBT并聯技術詳解 IGBT并聯技術詳解

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IGBT 并聯技術技術詳解 IGBT 并聯均流問題 影響靜態均流的因素 1、并聯 IGBT 的直流母 線側連接點的電阻分量,因 此需要盡量對稱; 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二極管芯片的 VF的差異,因此盡量采取同一批次的產品。 3、 IGBT 模塊所處的溫度差異,設計機械結構及風道時需要考慮; 4、 IGBT 模塊所處的磁場差異; 5、柵極電壓 Vge 的差異。 影響動態均流的因素 1、 IGBT 模塊的開通門檻電壓 VGEth 的差異, VGEth 越高, IGBT 開通時刻越晚, 不同模塊會有差異; 2、每個并聯的 IGBT 模塊的直流母線雜散電感 L 的差異; 3、門極電壓 Vge 的差異; 4、門極回路中的雜散電感量的差異; 5、 IGBT 模塊所處溫度的差異; 6、 IGBT 模塊所處的磁場的差異。 IGBT 芯片溫度對均流的影響 IGBT 芯片的溫度對于動態均

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高頻爐利用隧道烘箱排濕風的節能方案探討 高頻爐利用隧道烘箱排濕風的節能方案探討

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探討了玻璃纖維高頻爐利用隧道烘箱排濕風,實現節能減排的方法。此方法利用隧道烘箱排濕風具有高溫和低濕度的特點,將經過了灰塵過濾器和浸潤劑揮發物過濾器的排濕風引入高頻爐內,替代高頻爐原用的蒸汽加熱方式節約能源,減少熱空氣排放。

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IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。

IGBT Modules 在使用中的注意事項

由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。

此外,在柵極-發射極間開路時,若在集電極與發射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發熱及至損壞。

在使用IGBT的場合,當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

在安裝或更換IGBT模塊時,應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇,當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱,而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查,一般在散熱片上靠近 IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器,當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。

一、熱處理:各種金屬的局部或整體淬火、退火、回火、透熱;

二、熱 成 型 :整件鍛打、局部鍛打、熱鐓、熱軋;

三、焊 接:各種金屬制品釬焊、各種刀具刀片、鋸片鋸齒的焊接、鋼管、銅管焊接、同種異種金屬焊接;

四、金屬熔煉:金、銀、銅、鐵、鋁等金屬的(真空)熔煉、鑄造成型及蒸發鍍膜;

五、高頻爐其它應用:半導體單晶生長、熱配合、瓶口熱封、牙膏皮熱封、粉末涂裝、金屬植入塑料等。

一個理想的 igbt 驅動器應具有以下基本性能: (1)動態驅動能力強 ,能為 igbt 柵極提供具有陡峭前后沿的驅動脈沖。當 igbt 在硬開關方式下工作時 ,會在開通及關斷過程中產生較大的開關損耗。這個過程越長 ,開關損耗越大。器件工作頻率較高時 ,開關損耗甚至會大大超過 igbt 通態損耗 ,造成管芯溫升較高。 這種情況會大大限制 igbt 的開關頻率和輸出能力 ,同時對 igbt的安全工作構成很大威脅。 igbt的開關速度與其柵極控制信號的變化速度密切相關。igbt 的柵源特性呈非線性電容性質 ,因此 ,驅動器須具有足夠的瞬時電流吞吐能力 ,才能使 igbt 柵源電壓建立或消失得足夠快 ,從而使開關損耗降至較低的水平。 另一方面 ,驅動器內阻也不能過小 ,以免驅動回路的雜散電感與柵極電容形成欠阻尼振蕩。同時 ,過短的開關時間也會造成主回路過高的電流尖峰 ,這既對主回路安全不利 ,也容易在控制電路中造成干擾。 ( 2) 能向 igbt提供適當的正向柵壓 。 igbt導通后的管壓降與所加柵源電壓有關 ,在漏源電流一定的情況下 , u 越高 , u 就越低 ,gs ds器件的導通損耗就越小 ,這有利于充分發揮管子的工作能力。但是 并非越高越好 一般, ugs ,不允許超過 原因是一旦發生過流或短路20v , ,柵壓越高 則電流幅值越高 損壞的可能, ,igbt性就越大。通常 ,綜合考慮取 +15v 為宜。 (3) 能向 igbt 提供足夠的反向柵壓。在igbt關斷期間 ,由于電路中其它部分的工作 ,會在柵極電路中產生一些高頻振蕩信號。這些信號輕則會使本該截止的 igbt 處于微通狀態 ,增加管子的功耗 ,重則將使逆變電路處于短路直通狀態。因此 ,最好給應處于截止狀態的igbt加一反向柵壓(幅值一般為 5~15v) ,使igbt在柵極出現開關噪聲時仍能可靠截止。 (4)有足夠的輸入輸出電隔離能力。在許多設備中 與工頻電網有直接電聯系 而,igbt ,控制電路一般不希望如此。另外許多電路(如橋式逆變器)中的 的工作電位差別很大igbt ,也不允許控制電路與其直接耦合。因此 驅動,器具有電隔離能力可以保證設備的正常工作 ,同時有利于維修調試人員的人身安全。但是 ,這種電隔離不應影響驅動信號的正常傳輸。 (5) 具有柵壓限幅電路 ,保護柵極不被擊穿。igbt柵極極限電壓一般為 ±20v ,驅動信號超出此范圍就可能破壞柵極。(6)輸入輸出信號傳輸無延時。這一方面能夠減少系統響應滯后 ,另一方面能提高保護的快速性。 (7)電路簡單 ,成本低。 (8) igbt損壞時 ,驅動電路中的其它元件不會隨之損壞。igbt燒毀時 ,集電極上的高電壓往往會通過已被破壞的柵極竄入驅動電路 ,從而破壞其中的某些元件。 由于 igbt 承受過流或短路的能力有限 ,故 igbt驅動器還應具有如下功能: (9)當 igbt處于負載短路或過流狀態時 ,能在 igbt允許時間內通過逐漸降低柵壓自動抑制故障電流 ,實現 igbt 的軟關斷。其目的是避免快速關斷故障電流造成過高的 di/ dt。 在雜散電感的作用下 ,過高的 di/ dt 會產生過高的電壓尖峰 ,使 igbt 承受不住而損壞。同理 ,驅動電路的軟關斷過程不應隨輸入信號的消失而受到影響 ,即應具有定時邏輯柵壓控制的功能。當出現過流時 ,無論此時有無輸入信號 ,都應無條件地實現軟關斷。 在各種設備中 ,二極管的反向恢復、電磁性負載的分布電容及關斷吸收電路等都會在igbt開通時造成尖峰電流。驅動器應具備抑制這一瞬時過流的能力 ,在尖峰電流過后 ,應能恢復正常柵壓 ,保證電路的正常工作。 (10)在出現短路、過流的情況下 ,能迅速發出過流保護信號 ,供控制電路進行處理。

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