提拉法以碳酸鋰、五氧化二鈮為原料制備鈮酸鋰：將碳酸鋰和五氧化二鈮放入鉑金坩堝中，沿(001)方向生長(zhǎng)晶體。為得到優(yōu)質(zhì)無(wú)色透明圓柱體，必須在晶體生長(zhǎng)的兩個(gè)方向的兩個(gè)端面的溫度略高于居里溫度時(shí)，再加一個(gè)適當(dāng)大小的電場(chǎng)，形成晶體后將晶體冷卻至室溫，即制得鈮酸鋰晶體。

在微波技術(shù)中用于調(diào)Q開(kāi)關(guān)、光電調(diào)制、倍頻、光參量振蕩；摻加一定量的鐵和其他金屬雜質(zhì)的LN晶體，可用作全息記錄介質(zhì)材料。也用于相位調(diào)解器、非揮發(fā)性存儲(chǔ)器、二次諧波發(fā)生器、相位光柵調(diào)解器、大規(guī)模集成光學(xué)系統(tǒng)。還廣泛用于紅外探測(cè)器、高頻寬道帶濾波器等。

基本信息

中文名稱:鈮酸鋰

英文別名:Lithium niobate wafer; lithium niobium trioxide; rubidium oxido(dioxo)niobium; distrontium; niobium( 5) cation; oxygen(-2) anion; lithium oxido(dioxo)niobium

CAS:12031-63-9

EINECS:234-755-4

鈮酸鋰晶體簡(jiǎn)稱LN，屬三方晶系，鈦鐵礦型(畸變鈣鈦礦型)結(jié)構(gòu)。相對(duì)密度4.30，晶格常數(shù)a=0.5147 nm，c=1.3856 nm，熔點(diǎn)1240℃，莫氏硬度5，折射率n0=2.297，ne=2.208(λ=600 nm)，介電常數(shù)ε=44，ε=29．5，ε=84，ε=30，一次電光系數(shù)γ13=γ23=10×10pm/V，γ33=32×10pm/V．Γ22=-γ12=-γ61=6.8×10pm/V，非線性系數(shù)d31=-6.3×1p0 m/V，d22= 3.6×10pm/V，d33=-47×10pm/V。鈮酸鋰是一種鐵電晶體，居里點(diǎn)1140℃，自發(fā)極化強(qiáng)度50×10C/cm'，熱導(dǎo)率0.056(W/cm·K)。經(jīng)過(guò)畸化處理的鈮酸鋰晶體具有壓電、鐵電、光電、非線性光學(xué)、熱電等多性能的材料，同時(shí)具有光折變效應(yīng)。

電光效應(yīng)是指對(duì)晶體施加電場(chǎng)時(shí)，晶體的折射率發(fā)生變化的效應(yīng)。有些晶體內(nèi)部由于自發(fā)極化存在著固有電偶極矩，當(dāng)對(duì)這種晶體施加電場(chǎng)時(shí)，外電場(chǎng)使晶體中的固有偶極矩的取向傾向于一致或某種優(yōu)勢(shì)取向，因此，必然改變晶體的折射率，即外電場(chǎng)使晶體的光率體發(fā)生變化。在光通訊中，電-光調(diào)制器就是利用電場(chǎng)使晶體的折射率改變這一原理制成的。電光晶體位于起偏鏡和檢偏鏡之間，在未施加電場(chǎng)時(shí)，起偏鏡和檢偏鏡相互垂直，自然光通過(guò)起偏鏡后檢偏鏡擋住而不能通過(guò)。施加電場(chǎng)時(shí)，光率體變化，光便能通過(guò)檢偏鏡。通過(guò)檢偏鏡的光的強(qiáng)弱由施加于晶體上的電壓的大小來(lái)控制，從而實(shí)現(xiàn)通過(guò)控制電壓對(duì)光的強(qiáng)弱進(jìn)行調(diào)制的目的。2100433B

各種半導(dǎo)體封裝元件、陶瓷、玻璃、水晶、石英、鐵氧體、鈮酸鋰單晶、氧化鋁