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納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發射特性基本信息

中文名 納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發射特性 項目類別 面上項目
項目負責人 劉技文 依托單位 天津理工大學

采用射頻磁控濺射隨后退火或襯底原位加熱制備納米米晶及稀土摻雜納米晶碳化硅薄膜,研究生長機理、納米尺度、微結構和界面效應、摻雜種類和密度影響光發射和場發射的規律,通過改變以上條件,消除光發射溫度猝滅效應,提高藍光發射效率;調整電子親和勢,使其具有低閾值、強場發射特性,為發光器件、激光器件和平板顯示開拓全新的半導體材料。.

納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發射特性造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規格/型號 市場價
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行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
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材料名稱 規格/型號 除稅
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(元)
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碳化硅 |8106kg 1 查看價格 鞏義市恒立耐火材料廠 廣東  佛山市 2015-05-08
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碳化硅氣泡石 A-10301 Ф30x80|2062片 1 查看價格 三強水處理設備廠 江西  宜春市 2015-12-21

批準號

10074049

項目名稱

納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發射特性

項目類別

面上項目

申請代碼

A2001

項目負責人

劉技文

負責人職稱

教授

依托單位

天津理工大學

研究期限

2001-01-01 至 2003-12-31

支持經費

19(萬元)

納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發射特性常見問題

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    碳化硅 SiC >99% 8000元/噸 以上 SiC <98% 3800-4200元/噸價格近期來不是很穩定,買賣都需慎重

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納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發射特性文獻

碳化硅生產新工藝,碳化硅制備加工配方設計,碳化硅技術專利全集 碳化硅生產新工藝,碳化硅制備加工配方設計,碳化硅技術專利全集

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碳化硅生產新工藝與制備加工配方設計及技術專利全集 主編:國家專利局編寫組 出版發行:中國知識出版社 2011年 規格:全四卷 16 開精裝 +1張 CD光盤 定價: 1180元 優惠價: 680元 詳細目錄 1 200410030786.8 鋁電解槽側墻用氮化硅結合碳化硅耐火磚及其制 備方法 2 200410023747.5 一種向缸套鉻層內部擠入碳化硅的方法 3 200410012271.5 一種制備碳化硅納米纖維的方法 4 200410020538.5 黑色碳化硅冶煉降低單位耗料的工藝 5 200410026085.7 一種碳化硅發熱元件冷端部的制造方法 6 200410026086.1 酚醛樹脂作為結合劑的碳化硅陶瓷常溫擠壓成形 方法 7 02822412.4 大面積碳化硅器件及其制造方法 8 03125220.6 摻加助劑熱壓燒結塊體鈦碳化硅陶瓷材料的方法 9 03138926.0

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碳化硅鋁復合材料的制備 碳化硅鋁復合材料的制備

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頁數: 37頁

評分: 4.4

1 論文題目: 碳化硅鋁復合材料的制備 專 業:材料科學與工程 學 生:段紅偉 簽名 : 指導老師:王濤 簽名: 摘要 碳化硅顆粒增強鋁基復合材料 ( SiCp / Al 復合材料 ) 具有高比強度和比剛 度、耐磨、耐疲勞、低熱膨脹系數、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩定性 和導熱性、優異的力學性能和物理性能。 本文采用粉末冶金法制備 SiCp復合材料。使用X射線衍射儀 (XRD)、掃描電鏡 (SEM),抗折強度試驗,洛氏硬度實驗以及密度,吸水率,氣孔率實驗等方法研 究碳化硅鋁復合材料的微觀結構、 性能特點和機理。 得到實驗結果為 SiCp復合材 料組織均勻,致密,無雜質,氣孔少等優良特點。隨著 SiC復合材料質量分數的 增加, SiCp的密度、抗折強度、硬度均相應增大,而氣孔率、吸水率隨之減小。 SiC質量分數一定的情況下,隨著燒結溫度的升高試樣的性能也越來越好。 關 鍵 字:

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批準號

59672015

項目名稱

稀土摻雜納米材料的合成及其光存儲特性

項目類別

面上項目

申請代碼

E0206

項目負責人

湯國慶

負責人職稱

教授

依托單位

南開大學

研究期限

1997-01-01 至 1999-12-31

支持經費

10(萬元)

氧氮化物熒光粉具有優良的物理和化學穩定性,是白光LED照明中理想的光轉換材料。Al2O3-AlN二元體系中含有大量的AlON多形體,而基于這些多形體的熒光材料還未被報道,因此,可望從中發現新型高效、穩定的氧氮化物熒光粉。本項目針對傳統高溫固相法所具有的合成溫度高、產物相不純等缺點,通過特殊的制備方法-高能球磨法在較低的合成溫度下制備出一系列稀土摻雜的AlON多形體熒光粉,研究他們的發光和結構性質,優化高能球磨參數、燒結溫度、保溫時間、稀土摻雜濃度以及退火工藝。通過分析XRD, PL, EDS、TEM、XAFS等結果,揭示稀土離子在基質中的價態信息和配位環境,并結合第一性原理理論計算進行進一步驗證。上述結構信息為進一步提高發光性能提供理論指導。把所得熒光粉涂覆在匹配的LED芯片上,考察熒光粉的實際應用效果。本項目通過實驗和理論計算相結合,最終獲得基于新型基質的性質優異的氧氮化物熒光粉。

利用化學法制備新型摻雜稀土納米發光材料及對熒光粉表面的修飾,包覆抗紫外線照射的化合物。探討樣品的合成機理,研究化學組成與樣品結構性能的內在關系。利用光譜實驗研究樣品的光學性能,如:納米晶的激發、輻射和無輻射過程中,摻雜離子的特征發光性能和發光效率;納米晶本征電子激發態與摻雜離子電子態的相互作用;影響摻雜離子激發態壽命的各種機制;納米晶的顆粒大小對這些相互作用的影響。開發新型的發光材料。

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