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碳納米管薄膜

碳納米管薄膜 應用于導電塑料、半導體器件、輕質高強復合材料、寬頻段輕質電磁屏蔽、沖擊防護、智能器件等領域 

1991年,日本物理學家飯島澄男在電弧法制備的碳材料中觀察到了碳納米管

碳納米管薄膜造價信息

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碳納米管薄膜是經過物理或化學方法,填充自由排列的碳納米管陣列形成的二維碳納米管網絡結構。

碳納米管薄膜常見問題

  • 單壁碳納米管多壁碳納米管規格是多少?

    碳納米管的獨特結構決定了它具有許多特殊的物理和化學性質。組成碳納米管的   C=C   共價鍵是自然界最穩定的化學鍵,所以使得碳納米管具有非常優異的力學性能。

  • 碳納米管導熱好嗎?

    金剛石的導熱系數最高,可以達到1000W/M*K,金屬里面導熱原理和導電的原理是一樣的,銀最高!

  • 碳納米管規格是什么?

    碳納米管,又名巴基管,是一種具有特殊結構的一維量子材料,在1991年1月由日本物理學家飯島澄男發現。碳納米管主要由呈六邊形排列的碳原子組成的數層到數十層的同軸圓管構成。層與層之間保持固定的距離,約0....

碳納米管薄膜文獻

不銹鋼襯底碳納米管薄膜的場發射特性 不銹鋼襯底碳納米管薄膜的場發射特性

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不需要添加任何催化劑,直接在含有少量Ni和Cr成分的不銹鋼襯底上,用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)方法沉積碳納米管薄膜.在SEM下觀察,生成的碳納米管取向無序,但濃度大、雜質含量少、直徑小且分布均勻,其直徑在50-60nm,為多壁碳納米管.Raman光譜實驗證實了此碳納米管中存在大量缺陷.場發射實驗表明,本樣品的開啟電壓低,電子發射均勻,發射電流大.當用ITO玻璃作陽極且場強為11 V/μm時,電流密度可達到31 mA/cm2;當用熒光粉包覆的ITO玻璃作陽極且場強為6 V/μm時,電流密度可達到1.25 mA/cm2,這時的電子可穩定發射,使該樣品變成良好的電子發射體.

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碳納米管論文 碳納米管論文

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碳納米管看及其產業化 姓名:劉佳 班級:化學二班 學號: 2008600213 在 1991 年日本 NEC公司基礎研究實驗室的電子顯 微鏡 專家飯島 (Iijima) 在高 分辨透 射電子 顯微鏡 下檢驗 石墨電 弧設 備中產 生的球 狀碳分 子時,意外 發現了由管狀的同軸納米管組成 的碳分子 ,這就 是現在被稱作的 “ Carbon nanotube”,即碳 納米管 ,又名巴基 管。 1993 年。 S.Iijima 等和 DS。 Bethune 等同時 報道了采用電弧法,在石 墨電極中添加 一定的催化劑,可以得到僅僅具 有一層管壁的碳納米管,即 單壁碳納米管 產物。 1997 年,AC.Dillon 等報道了單壁碳納米管的 中空管可儲存和穩定氫 分子,引起廣 泛的關注。相關的實驗研究和理 論計算也相繼展開。初步結 果表明:碳納 米管自身重量輕,具有中空的結 構,可以作為儲存氫氣的優

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《碳納米管、石墨烯纖維及薄膜》可供從事新材料制備、表征和應用開發的專業技術人員使用,也可供高等學校相關專業師生閱讀參考。

碳納米管應用前景

碳納米管可以制成透明導電的薄膜,用以代替ITO(氧化銦錫)作為觸摸屏的材料。先前的技術中,科學家利用粉狀的碳納米管配成溶液,直接涂布在PET或玻璃襯底上,但是這樣的技術至今沒有進入量產階段;目前可成功量產的是利用超順排碳納米管技術;該技術是從一超順排碳納米管陣列中直接抽出薄膜,鋪在襯底上做成透明導電膜,就像從棉條中抽出紗線一樣。該技術的核心-超順排碳納米管陣列是由北京清華-富士康納米中心于2002年率先發現的新材料。

碳納米管觸摸屏首次于2007~2008年間成功被開發出,并由天津富納源創公司于2011年產業化,至今已有多款智慧型手機上使用碳納米管材料制成的觸摸屏。與現有的氧化銦錫(ITO)觸摸屏不同之處在于:氧化銦錫含有稀有金屬“銦”,碳納米管觸摸屏的原料是甲烷、乙烯、乙炔等碳氫氣體,不受稀有礦產資源的限制;其次,鋪膜方法做出的碳納米管膜具有導電異向性,就像天然內置的圖形,不需要光刻、蝕刻和水洗的制程,節省大量水電的使用,較為環保節能。工程師更開發出利用碳納米管導電異向性的定位技術,僅用一層碳納米管薄膜即可判斷觸摸點的X、Y座標;碳納米管觸摸屏還具有柔性、抗干擾、防水、耐敲擊與刮擦等特性,可以制做出曲面的觸摸屏,具有高度的潛力可應用于穿戴式裝置、智慧家俱等產品。

據物理學家組織網、英國廣播公司2013年9月26日報道,美國斯坦福大學的工程師在新一代電子設備領域取得突破性進展,首次采用碳納米管建造出計算機原型,比基于硅芯片模式的計算機更小、更快且更節能。

瑞士洛桑聯邦理工學院電氣工程學院主任喬瓦尼·德·米凱利教授強調了這一世界性成就的兩個關鍵技術貢獻:首先,將基于碳納米管電路的制造過程落實到位。其次,建立了一個簡單而有效的電路,表明使用碳納米管計算是可行的。下一代芯片設計研究聯盟、伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校納雷什教授評價道,雖然碳納米管計算機可能還需要數年時間才趨于成熟,但這一突破已經凸顯未來碳納米管半導體以產業規模生產的可能性。

氫氣被很多人視為未來的清潔能源。但是氫氣本身密度低,壓縮成液體儲存又十分不方便。碳納米管自身重量輕,具有中空的結構,可以作為儲存氫氣的優良容器,儲存的氫氣密度甚至比液態或固態氫氣的密度還高。適當加熱,氫氣就可以慢慢釋放出來。研究人員正在試圖用碳納米管制作輕便的可攜帶式的儲氫容器。

在碳納米管的內部可以填充金屬、氧化物等物質,這樣碳納米管可以作為模具,首先用金屬等物質灌滿碳納米管,再把碳層腐蝕掉,就可以制備出最細的納米尺度的導線,或者全新的一維材料,在未來的分子電子學器件或納米電子學器件中得到應用。有些碳納米管本身還可以作為納米尺度的導線。這樣利用碳納米管或者相關技術制備的微型導線可以置于硅芯片上,用來生產更加復雜的電路。

利用碳納米管的性質可以制作出很多性能優異的復合材料。例如用碳納米管材料增強的塑料力學性能優良、導電性好、耐腐蝕、屏蔽無線電波。使用水泥做基體的碳納米管復合材料耐沖擊性好、防靜電、耐磨損、穩定性高,不易對環境造成影響。碳納米管增強陶瓷復合材料強度高,抗沖擊性能好。碳納米管上由于存在五元環的缺陷,增強了反應活性,在高溫和其他物質存在的條件下,碳納米管容易在端面處打開,形成一個管子,極易被金屬浸潤、和金屬形成金屬基復合材料。這樣的材料強度高、模量高、耐高溫、熱膨脹系數小、抵抗熱變性能強。

碳納米管還給物理學家提供了研究毛細現象機理最細的毛細管,給化學家提供了進行納米化學反應最細的試管。碳納米管上極小的微粒可以引起碳納米管在電流中的擺動頻率發生變化,利用這一點,1999年,巴西和美國科學家發明了精度在10-17kg精度的“納米秤”,能夠稱量單個病毒的質量。隨后德國科學家研制出能稱量單個原子的“納米秤”。

碳納米管分散劑介紹和使用建議

以無錫巨旺塑化材料有限公司的碳納米管及碳納米管分散劑為例研究和實際使用經驗如下:,

一、碳納米管分散技術三要素

二、分散劑用量推薦

三、碳納米管水分散劑(TNWDIS)概述

四、超聲波分散設備使用建議及分散實例

五、研磨分散設備使用建議

碳納米管分散技術三要素:分散介質、分散劑和分散設備

1、分散介質

(1)根據粘度不同,分散介質分為高粘度、中粘度和低粘度三種。在低粘度介質中,如水和有機溶劑,碳納米管易于分散。中粘度介質如液態環氧樹脂、液態硅橡膠等,高粘度介質如熔融態的塑料。

(2)此處介紹的碳納米管分散技術,針對中、低粘度分散介質。

2、分散劑

(1)分散劑的選擇,與分散介質的結構、極性、溶度參數等密切相關。

(2)分散劑的用量,與碳納米管比表面積和共價鍵修飾的功能基團有關。

(3)水性介質中,推薦使用TNWDIS。強極性有機溶劑中,如醇、DMF、NMP, 推薦使用TNADIS。中等極性有機溶劑如酯類、液態環氧樹脂、液態硅橡膠,推薦使用TNEDIS 。

3、分散設備

(1)超聲波分散設備:非常適合實驗室規模、低粘度介質分散碳納米管,用于中、高粘度介質時會受到限制。

(2)研磨分散設備:適合大規模地分散碳納米管、中粘度介質分散碳納米管。

(3)采用“先研磨分散、后超聲波分散”組合方法,可以高效、穩定地分散碳納米管

分散劑用量推薦。

1、碳納米管比表面積與分散劑用量

我們試劑級碳納米管分為單壁管(外徑<2nm)和多壁管。多壁管根據外徑不同,分為TNM1(外徑50nm)。隨著外徑的增加,碳納米管的比表面積減小

TNWDIS推薦用量:單壁管重量的3.5倍, TNM1 重量的1.0倍, TNM8 重量的0.2倍。其余用量參考調整

2、碳納米管功能化與分散劑用量

功能化后的碳納米管,更容易在水中分散。 通常,碳納米管羧基功能化后,分散劑的用量可以減少50%

TNWDIS推薦用量:羧基化單壁管重量的1.5-1.8倍, 羧基化TNM1 重量的0.5倍, 羧基化TNM8 重量的0.1倍

3、對于TNADIS, TNM8 的推薦用量是重量的0.2倍。對于TNEDIS, TNM8 的推薦用量是重量的0.8倍

其余碳納米管分散劑用量可以參照調整

碳納米管水分散劑(TNWDIS)概述

1、不含烷基酚聚氧乙烯醚 (APEO)的非離子表面活性劑,生態環保。歐洲國家自1976年起陸續制定了法規限制生產和使用APEO

2、含有芳香基團,特別適合制備碳納米管水分散液。芳香基團與碳納米管管壁親和性好,易于吸附在管壁

3、性能指標

活性物質含量:90%

水 分 含 量:10%

濁 點:68-70℃

碳納米管水分散劑(TNWDIS)結構

文獻報道分散CNTs常用的三種表面活性劑

超聲波分散設備使用建議

1、超聲波粉碎機(tip型)和超聲波清洗機(bath型)都可以用于碳納米管分散

2、超聲波粉碎機發出的超聲波能量密度高(能量集中于變幅桿上而不是一個平面上)、頻率低,更適合碳納米管的分散。根據碳納米管分散液的量,選擇合適的超聲波粉碎機功率和變幅桿直徑

3、在水介質中,超聲波的空化作用會使TNWDIS產生少量泡沫,泡沫會影響超聲效果,可以選擇靜置或加入消泡劑,消除泡沫

粘度高的介質不適合選擇超聲波設備分散 ,建議選擇研磨分散設備

超聲波粉碎機制備分散液實例

1、目標:制備100g多壁碳納米管TNM8 水分散液 ,碳納米管含量 2%

2、主要設備

(1)Scientz-ⅡD型超聲波細胞粉碎機(國產) 。所用超聲變幅桿為Φ6,輸出功率選擇為60%,超聲開時間為3s,超聲關時間也為3s,超聲總時間設置為5min

(2)SC-3614型低速離心機 (國產 )

(3)HCT-1微機差熱天平(國產)

操作步驟(1)

1、將0.40g分散劑TNWDIS 溶解于97.60g去離子水中。室溫下TNWDIS 溶解度小,可用水浴加熱輔助其溶解,但使用溫度不可超過其濁點溫度

2、加入2.00g碳納米管,攪拌,使碳納米管被分散劑水溶液完全潤濕,而不是漂浮在水面上

3、開始超聲。超聲過程中,分散液會發熱、起泡,因此建議超聲5min后,可將分散液取出靜置于冰水中冷卻、消泡,再繼續超聲

4、分散程度觀察。用玻璃棒沾取少量分散液滴加至清水中,觀察稀釋狀態。分散好的碳納米管,猶如一滴墨水落入水中,在水中迅速均勻擴散開,而未分散好的碳納米管,在水中會有黑色顆粒出現。累計超聲總時間為30min(即5min×6次)

5、超聲結束后,將分散液離心沉降,去除未分散開的團聚粒子。離心速率為2000r/min,離心時間為30min。 經過離心,分散液可以穩定放置半年以上

6、離心結束后,將上層液體過300目濾布,得到最終的碳納米管分散液。烘干下層沉淀至恒重,記為G2。對沉淀進行熱重分析,定義450℃時的熱失重率f(%)為沉淀中分散劑含量

7、分散液中碳納米管的實際含量(%)=2.00-(1-f)× G2

研磨分散設備使用建議

1. 制備1-2升碳納米管水分散液,可以選用實驗室分散砂磨機,砂磨介質可以選用1.0-1.2mm的硅酸鋯珠或氧化鋯珠

2.制備10-20升碳納米管分散液,可以選用小型的籃式砂磨機。砂磨介質選用設備允許的直徑較小的硅酸鋯珠或氧化鋯珠

3.水介質砂磨過程中,需要添加消泡劑來減少泡沫對分散效果的影響

4.對中等粘度的分散介質,如液態環氧樹脂,砂磨機不能帶動介質有效運動,可以選擇錐形磨或三輥機來研磨分散

碳納米管性質

碳納米管力學

由于碳納米管中碳原子采取SP2雜化,相比SP3雜化,SP2雜化中S軌道成分比較大,使碳納米管具有高模量和高強度。

碳納米管具有良好的力學性能,CNTs抗拉強度達到50~200GPa,是鋼的100倍,密度卻只有鋼的1/6,至少比常規石墨纖維高一個數量級;它的彈性模量可達1TPa,與金剛石的彈性模量相當,約為鋼的5倍。對于具有理想結構的單層壁的碳納米管,其抗拉強度約800GPa。碳納米管的結構雖然與高分子材料的結構相似,但其結構卻比高分子材料穩定得多。碳納米管是目前可制備出的具有最高比強度的材料。若將以其他工程材料為基體與碳納米管制成復合材料, 可使復合材料表現出良好的強度、彈性、抗疲勞性及各向同性,給復合材料的性能帶來極大的改善。

碳納米管的硬度與金剛石相當,卻擁有良好的柔韌性,可以拉伸。在工業上常用的增強型纖維中,決定強度的一個關鍵因素是長徑比,即長度和直徑之比。材料工程師希望得到的長徑比至少是20:1,而碳納米管的長徑比一般在1000:1以上,是理想的高強度纖維材料。2000年10月,美國賓州州立大學的研究人員稱,碳納米管的強度比同體積鋼的強度高100倍,重量卻只有后者的1/6到1/7。碳納米管因而被稱“超級纖維”。

莫斯科大學的研究人員曾將碳納米管置于1011 MPa的水壓下(相當于水下10000米深的壓強),由于巨大的壓力,碳納米管被壓扁。撤去壓力后,碳納米管像彈簧一樣立即恢復了形狀,表現出良好的韌性。這啟示人們可以利用碳納米管制造輕薄的彈簧,用在汽車、火車上作為減震裝置,能夠大大減輕重量。

此外,碳納米管的熔點是已知材料中最高的。

碳納米管導電

碳納米管上碳原子的P電子形成大范圍的離域π鍵,由于共軛效應顯著,碳納米管具有一些特殊的電學性質。

碳納米管具有良好的導電性能,由于碳納米管的結構與石墨的片層結構相同,所以具有很好的電學性能。理論預測其導電性能取決于其管徑和管壁的螺旋角。當CNTs的管徑大于6nm時,導電性能下降;當管徑小于6nm時,CNTs可以被看成具有良好導電性能的一維量子導線。有報道說Huang通過計算認為直徑為0.7nm的碳納米管具有超導性,盡管其超導轉變溫度只有1.5×10-4K,但是預示著碳納米管在超導領域的應用前景。

常用矢量Ch表示碳納米管上原子排列的方向,其中Ch=na1 ma2,記為(n,m)。a1和a2分別表示兩個基矢。(n,m)與碳納米管的導電性能密切相關。對于一個給定(n,m)的納米管,如果有2n m=3q(q為整數),則這個方向上表現出金屬性,是良好的導體,否則表現為半導體。對于n=m的方向,碳納米管表現出良好的導電性,電導率通常可達銅的1萬倍。

碳納米管傳熱

碳納米管具有良好的傳熱性能,CNTs具有非常大的長徑比,因而其沿著長度方向的熱交換性能很高,相對的其垂直方向的熱交換性能較低,通過合適的取向,碳納米管可以合成高各向異性的熱傳導材料。另外,碳納米管有著較高的熱導率,只要在復合材料中摻雜微量的碳納米管 ,該復合材料的熱導率將會可能得到很大的改善。

碳納米管其他

碳納米管還具有光學等其他良好的性能。

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