第一個碳納米晶體管(Carbon Nanotube Transistor)陣列,是由IBM的研究人員制造出來的, 利用這一突破性的晶體管技術,制造的芯片將比硅芯片更小更快。
碳納米晶體管陣列所利用的碳納米晶體管是有碳原子排列而成的微小圓柱體,比現在的硅晶體管小100倍,而且不用對他們逐個處理,即不用從大量的納米光中去費力的尋找有用的電子屬性個體。研究表明,碳納米晶體管性能上可以和硅一爭高低, 而且碳納米晶體管可以制造的更小。在未來,硅芯片已經不能被制造得更小,因而必須尋找新的的制造計算機芯片的材料,碳納米晶體管將是很好的選擇。
根據大小形狀的不同,碳納米管的屬性可以分為金屬型和半導體型兩種。再將碳納米管用做晶體管過程中,科學家們遇到的難題是人工制造的碳納米晶體管是兩種屬性的混合體。這兩種屬性晶體管相互粘連呈線狀或束狀,這樣就使碳納米管用途大打折扣,因為只有半導體屬性的碳納米管才可以作為晶體管,而且當碳納米晶體管兩種屬性粘連在一起時,金屬性比半導體性還強。逐個處理碳納米管的工作是緩慢而且繁瑣的,但又沒有實際的方法將金屬型和半導體分開,這便成為將碳納米管用作晶體管的最大障礙。2100433B
美國貝爾實驗室科學家研究出僅是沙粒一百萬分之一大小的納米( n anometers)晶體管( t ransistor),這項新的突破對于發展低耗電量的細小電腦晶片,將扮演重要的角色。 電腦晶片將隨著納...
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美國貝爾實驗室采用一種革命性的設計方案用現有的半導體生產設備制造出了世界上最小的晶體管。該技術有可能使硅芯片繼續向更小的尺寸發展,并使某些芯片的處理速度提高一倍。許多半導體專家認為現有的制
【碳納米概念股】碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管 美國研究人員6日宣布,他們成功制備出一種碳納米晶體管,其性能首次超越現有硅晶體管,有望為碳納米晶體管將來取代硅晶體管鋪平道路。
硅是目前主流半導體材料,廣泛應用于各種電子元件。但受限于硅的自身性質,傳統半導體技術被認為已經趨近極限。碳納米管具有硅的半導體性質,科學界希望利用它來制造速度更快、能耗更低的下一代電子元件,使智能手機和筆記本電腦等設備的電池壽命更長、無線通信速率和計算速度更快。
A股上市公司中:
楚江新材(17.74 +1.37%,買入):旗下頂立科技在碳納米管領域儲備了充足的技術、產品和裝備優勢,目前正切入鋰電池材料行業。
新綸科技(19.04 +0.63%,買入):投建了超薄高導熱石墨烯/碳納米管復合薄膜散熱材料提升專項項目。
拓邦股份(14.08 +0.36%,買入):參股公司德方納米致力于納米材料制備技術開發直至產業化。
近日,美國研究人員成功制備出一種碳納米晶體管,其性能首次超越現有硅晶體管,有望為碳納米晶體管將來取代硅晶體管鋪平道路。
硅是目前主流半導體材料,廣泛應用于各種電子元件。但受限于硅的自身性質,傳統半導體技術被認為已經趨近極限。碳納米管具有硅的半導體性質,科學界希望利用它來制造速度更快、能耗更低的下一代電子元件,使智能手機和筆記本電腦等設備的電池壽命更長、無線通信速率和計算速度更快。
但長期以來,碳納米管用作晶體管面臨一系列挑戰,其性能一直落后于硅晶體管和砷化鎵晶體管。美國威斯康星大學麥迪遜分校研究人員在新一期美國《科學進展》雜志上介紹了他們克服的多重困難。
首先是提純問題。碳納米管內往往混雜一些金屬納米管,容易造成類似電子設備中的短路效應,干擾碳納米管的半導體性能。但研究人員發明出一種高分子聚合物提純技術,成功把碳納米管中的金屬納米管含量降低至0.01%以下。
第二個挑戰是碳納米管的陣列控制極其困難。要獲得性能良好的晶體管,必須按適當的順序組合碳納米管,使它們之間保持恰當的距離。為此,研究人員開發出一種叫“浮動蒸發自組裝”的技術,解決了這一難題。
第三個挑戰是碳納米管必須與晶體管的金屬電極保持良好的電接觸。研究人員在提純過程中使用的聚合物在碳納米管與金屬電極之間形成了絕緣層,為此他們把碳納米管放入真空容器中“烘烤”去除絕緣層,并通過熔解的方法去掉殘留雜質,從而保證了良好的電接觸。
最終,研究人員獲得的碳納米晶體管的電流承載能力是硅晶體管的1.9倍,并在此基礎上成功研制出2.54厘米見方的晶片。下一步,他們將努力把這一工藝擴展至商業生產水平。
研究負責人之一邁克爾·阿諾德教授在一份聲明中說,這是一個“重大里程碑”,是推動碳納米管在高速通信以及其他半導體電子技術方面應用的關鍵一步,有助于繼續推進計算機行業有關性能的高速發展,尤其是在無線通信技術方面。