2016屆畢業(yè)設(shè)計(jì)方案 課題名稱：《大功率開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)》 所在學(xué)院牽引與動(dòng)力學(xué)院 班級(jí)動(dòng)車134班 姓名 學(xué)號(hào) 指導(dǎo)老師 i 畢業(yè)設(shè)計(jì)評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)與答辯記錄 班級(jí)學(xué)號(hào)姓名總得分 課題名稱 考核項(xiàng)目及分 值 考核內(nèi)容 分 值 評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)得分 設(shè)計(jì)過(guò)程20 選題的應(yīng)用性、工藝性、綜合性、 先進(jìn)性、和經(jīng)濟(jì)性。查閱文獻(xiàn)資料、 參考書、使用工具書的能力。 55432 分析和解決問(wèn)題方面的能力，創(chuàng)造 性，獨(dú)立工作能力。 55432 工作態(tài)度與遵守紀(jì)律情況。1010864 設(shè)計(jì)結(jié)果40 文字的簡(jiǎn)潔性、通暢性，條理性與 邏輯性。 1010864 論據(jù)正確充分、分析計(jì)算準(zhǔn)確、使 用公式與引用數(shù)據(jù)的正確性。 1010864 完成設(shè)計(jì)任務(wù)，貫徹國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，圖 樣、數(shù)據(jù)表格、說(shuō)明書質(zhì)量。 1010864 設(shè)計(jì)方案比較選擇

雙極型三極管的開(kāi)關(guān)特性

清華模電三極管

以三極管封裝注射模為例,介紹了設(shè)置鑲件注射模設(shè)計(jì)的重點(diǎn)與難點(diǎn),闡述了塑件成型工藝、澆注系統(tǒng)和模具結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)技巧。

三極管開(kāi)關(guān)電路 三極管開(kāi)關(guān)電路-自控電路原理 ? ? ?　　能不能用干簧管開(kāi)關(guān)直接控制電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)與停呢？玩具電動(dòng)機(jī)是常用 的動(dòng)力裝置，它能夠把電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能，可用于小電風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng)、小離心水 泵抽水等執(zhí)行功能。通常玩具直流電動(dòng)機(jī)工作電壓低，雖然在1.5～3v就可 以啟動(dòng)，但起動(dòng)電流較大（1～2安培），如果用觸點(diǎn)負(fù)荷僅為幾十毫安的干 簧管進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，將大大縮短其使用壽命。因此，在自動(dòng)控制電路中，常 使用電子開(kāi)關(guān)來(lái)控制電動(dòng)機(jī)的工作狀態(tài)。 ? ?三極管電子開(kāi)關(guān)電路　見(jiàn)圖1。 ? ? ? ?　　vt基極限流電阻器r如何確定呢？根據(jù)三極管的電流分配作用，在 基極輸入一個(gè)較弱的電流ib，就可以控制集電極電流ic有較強(qiáng)的變化。假 設(shè)vt電流放大系數(shù)hfe≈250，電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)的集電極電流ic＝1.5a，經(jīng)過(guò) 計(jì)算，為使三極管飽和導(dǎo)通所需的基極電流ib≥（1500ma

精品文檔 精品文檔 雙極性三極管開(kāi)關(guān)特性 晶體三極管工作于截止區(qū)時(shí)，內(nèi)阻很大，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)狀態(tài)；工作于飽和區(qū)時(shí)，內(nèi)阻很低，相當(dāng)于 開(kāi)關(guān)接通狀態(tài)。三極管開(kāi)關(guān)電路如圖2.2.2(a)示。輸入控制信號(hào)為矩形電壓脈沖，電源電壓, 輸出信號(hào)為,三極管開(kāi)關(guān)電路輸入輸出波形如圖2.2.2(b)。 下實(shí)例中為12v的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)，為單片機(jī)可接收的ttl信號(hào)，為了與輸入控制信號(hào)一致，加入反 相器74ls14。 精品文檔 精品文檔 精品文檔 精品文檔 精品文檔 精品文檔 transistors atransistorisasolid-statedevicedesignedtocontroldccurrent.transistors aremostcommonlyfoundinlowdcpoweredsensorsastheout

雙極性三極管開(kāi)關(guān)特性 晶體三極管工作于截止區(qū)時(shí)，內(nèi)阻很大，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)狀態(tài)；工作于飽和區(qū)時(shí)，內(nèi)阻很低，相當(dāng)于 開(kāi)關(guān)接通狀態(tài)。三極管開(kāi)關(guān)電路如圖2.2.2(a)示。輸入控制信號(hào)為矩形電壓脈沖，電源電壓, 輸出信號(hào)為,三極管開(kāi)關(guān)電路輸入輸出波形如圖2.2.2(b)。 下實(shí)例中為12v的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)，為單片機(jī)可接收的ttl信號(hào)，為了與輸入控制信號(hào)一致，加入反 相器74ls14。 transistors atransistorisasolid-statedevicedesignedtocontroldccurrent.transistors aremostcommonlyfoundinlowdcpoweredsensorsastheoutputswitch. therearetwotypesoftr

三極管檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) 一.技術(shù)要術(shù) 〔一〕外觀 1.三極管外形尺寸封裝形式符合本公司選用規(guī)定見(jiàn)圖1。 .包裝正規(guī)，標(biāo)識(shí)清晰，封裝表面光潔，引腳光亮，無(wú)氧化現(xiàn)象，可焊性好。 13 00 3 sd882 to220fpto220 to126 to202 to251to92 to126ecb 10 7 9 10 6. 5 8. 5 5 5 9 5 10 7 13007 0.5 2.5 4. 5 4.5 to262 5 10 .5 10 9 0.8 圖1 0.8 7.5 10 0.7 6.5 5. 5 6.5 5. 5 2. 8 to252 7. 5 10 5 0.7 0.8 〔二〕耐壓bvce0 1.開(kāi)啟qt2晶體管特性圖示儀，將各個(gè)開(kāi)關(guān)設(shè)置在如下檔位: 輸出電壓：500v、（50v）y軸：50ua/div、x軸：50v/div、（5vv/div）功耗限制

數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)-雙極型三極管的開(kāi)關(guān)特性

基于led大功率擴(kuò)展光源的二次光學(xué)設(shè)計(jì) 【摘要】在目前的低碳環(huán)境下，led照明光源逐步替代傳統(tǒng)光源，但是由 于其本身結(jié)構(gòu)和自身特點(diǎn)，要進(jìn)行高效的光能利用與照明，必須進(jìn)行適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué) 設(shè)計(jì)以便改善光能分布。筆者首先闡述了led的光學(xué)特性及二次光學(xué)設(shè)計(jì)，其 次對(duì)led大功率擴(kuò)展光源的二次光學(xué)設(shè)計(jì)進(jìn)行了深入探討。 【關(guān)鍵詞】led照明;擴(kuò)展光源;光學(xué)設(shè)計(jì) abstract：inthecurrentlowcarbonenvironment，ledlightinglightsource graduallyreplacethetraditionallightsource，butbecauseofitsowncharacteristics andstructure，whichcarryoutefficientenergyut

實(shí)驗(yàn)二二極管和三極管的識(shí)別與檢測(cè) 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1.熟悉晶體二極管、三極管的外形及引腳識(shí)別方法。 2.熟悉半導(dǎo)體二極管和三極管的類別、型號(hào)及主要性能參數(shù)。 3.掌握用萬(wàn)用表判別二極管和三極管的極性及其性能的好壞。 二、實(shí)驗(yàn)儀器 1.萬(wàn)用表 2.不同規(guī)格、類型的半導(dǎo)體二極管和三極管若干。 三、實(shí)驗(yàn)步驟及內(nèi)容 1.利用萬(wàn)用表測(cè)試晶體二極管 （1）鑒別正負(fù)極性 萬(wàn)用表及其歐姆檔的內(nèi)部等效電路如圖所示。 圖中e為表內(nèi)電源，r為等效內(nèi)阻，i為被測(cè)回路中的實(shí)際電流。由圖可見(jiàn)，黑表筆接表內(nèi) 電源的正端，紅表筆接表內(nèi)電源的負(fù)端。將萬(wàn)用表歐姆檔的量程撥到100r或kr1檔， 并將兩表筆分別接到二極管的兩端如圖所示，即紅表筆接二極管的負(fù)極，而黑表筆接二極管 的正極，則二極管處于正向偏置狀態(tài)，因而呈現(xiàn)出低電阻，此時(shí)萬(wàn)用表指示的電阻通常小于 幾千歐。反之，若將紅表筆接二極管的正

模擬開(kāi)關(guān)以信號(hào)電平或波形為關(guān)注對(duì)象,對(duì)模擬信號(hào)或數(shù)字信號(hào)進(jìn)行接通/斷開(kāi)動(dòng)作,如圖1所示。這種開(kāi)關(guān)是一種功能與機(jī)械開(kāi)關(guān)相同的電子電路,它可以根據(jù)選通端的電平,決定輸入端與輸出端的狀態(tài)。當(dāng)選通端處在選通狀態(tài)時(shí),輸出端的狀態(tài)取決于輸入端的狀態(tài);當(dāng)選通端處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),則不管輸入端電平如何,輸出端都呈高阻狀態(tài)。與傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)相比,模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、抖動(dòng)小、工作可靠、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。可廣泛應(yīng)用于電子電路的通斷控制、多路切換控制等領(lǐng)域。常用模擬開(kāi)關(guān)可分為使用晶體管的開(kāi)關(guān)電路和使用場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)集成電路。

a,jun,2013 jiangsuchangjiangelectronicstechnologyco.,ltd sot-23plastic-encapsulatetransistors 2sd601atransistor(npn) feature highhfe lowvce(sat) forgeneralamplification complementaryto2sb709a maximumratings(ta=25℃unlessotherwisenoted) symbolparametervalueunit vcbocollector-basevoltage60v vceocollector-emittervoltage50v veboemitter-basevoltage7v i

jiangsuchangjiangelectronicstechnologyco.,ltd sot-23plastic-encapsulatetransistors 2sb624transistor(pnp) features zhighdccurrentgain.hfe:200typ.(vce=-1v,ic=-100ma) zcomplimentaryto2sd596. maximumratings(ta=25℃unlessotherwisenoted) symbolparametervalueunit vcbocollector-basevoltage-30v vceocollector-emittervoltage-25v veboemitter-basevoltag

三相四線制系統(tǒng)中是否須采用四極開(kāi)關(guān)的一般是基于下列因素（參見(jiàn)《500問(wèn)》）： 1末端雙電源轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)及變電所低壓主斷路器、母聯(lián)斷路器： 1）是否會(huì)改變其中某一電源的接地制式。 2）是否會(huì)造成中性線產(chǎn)生分流。 當(dāng)這種中性線分流是通過(guò)兩路電源的中性線或中性線與pe線分流，這種分流會(huì)使線路電流 矢量和不為零。引起上級(jí)剩余電流保護(hù)器的誤動(dòng)作。當(dāng)中性線正常工作電流較大時(shí)，在線路 周圍產(chǎn)生較強(qiáng)的電磁場(chǎng)及電磁干擾，使附近的電子裝置等敏感設(shè)備受到影響。 當(dāng)這種中性線分流是通過(guò)兩路電源的中性線及電源中性點(diǎn)的接地電阻分流時(shí)，分流電流較 小，在線路周圍產(chǎn)生電磁場(chǎng)及電磁干擾相對(duì)較小，一般可不考慮其干擾的影響，但仍可能引 起上級(jí)剩余電流保護(hù)器的誤動(dòng)作。 2電氣隔離開(kāi)關(guān)是否需斷開(kāi)中性線，是根據(jù)中性線是否會(huì)存在危險(xiǎn)電位差來(lái)決定的： 1）tt系統(tǒng)內(nèi)中性線與總等電位聯(lián)結(jié)系統(tǒng)是不直接相通的（建筑物內(nèi)總等

以“chp01”加速器為實(shí)驗(yàn)平臺(tái),對(duì)自行研制的重復(fù)頻率三電極氣體開(kāi)關(guān)的自擊穿特性開(kāi)展了實(shí)驗(yàn)研究。研究了開(kāi)關(guān)自擊穿特性與氣壓、氣流流速、電極形狀等因素的關(guān)系,并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析。結(jié)果表明:隨著氣壓的升高,開(kāi)關(guān)自擊穿電壓分散性變大;適當(dāng)流速的氣流有助于減小開(kāi)關(guān)的自擊穿分散性,但氣流流速過(guò)大將加大自擊穿分散性;當(dāng)通過(guò)改變電極形狀增大極間場(chǎng)增強(qiáng)因子時(shí),開(kāi)關(guān)電極間場(chǎng)增強(qiáng)因子變大,開(kāi)關(guān)分散性減小,但平均自擊穿電壓有所降低。

在普通開(kāi)關(guān)電源的基礎(chǔ)上,根據(jù)交流變頻調(diào)速系統(tǒng)的特殊工作環(huán)境,為提高交流調(diào)速系統(tǒng)的可靠性,改善工藝,減小體積,特設(shè)計(jì)一種兩級(jí)組合式新型開(kāi)關(guān)電源來(lái)滿足交流變頻調(diào)速系統(tǒng)的各種特殊要求,并用于實(shí)際系統(tǒng)中獲得了良好的效果。

半絕緣多晶硅在高可靠大功率硅開(kāi)關(guān)三極管中的應(yīng)用

描述pta三裝置mns型大功率開(kāi)關(guān)抽屜的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),介紹pta三裝置實(shí)際應(yīng)用中存在的問(wèn)題,并從定期維護(hù)和日常巡檢角度提出預(yù)防開(kāi)關(guān)抽屜故障的措施,以進(jìn)一步保障化工廠pta三裝置的安全穩(wěn)定運(yùn)行。

本文討論了復(fù)合開(kāi)關(guān)晶體管的基本特性和開(kāi)關(guān)特性,提供了實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)和應(yīng)用電路實(shí)例。

市售的大功率無(wú)極調(diào)速開(kāi)關(guān)。廣泛用于大功率的排風(fēng)扇、換氣扇以及功率相當(dāng)?shù)膯蜗嚯姍C(jī)調(diào)速之用。然而。你可能不會(huì)想到它還可以用來(lái)應(yīng)急修復(fù)一些不可修的光波爐，最近筆者作了一個(gè)大膽的嘗試，結(jié)果十分滿意，現(xiàn)將修理的經(jīng)過(guò)寫出來(lái)，以供同行應(yīng)急之用。

防雷擊二極管是一種高效能的電路保護(hù)器件,具有體積小、響應(yīng)快、瞬間吸收功率大、無(wú)噪聲等優(yōu)點(diǎn),在國(guó)外已廣泛應(yīng)用到家用電器、電子儀器、精密設(shè)備、自動(dòng)控制系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,本文將對(duì)大功率防雷擊二極管產(chǎn)品的工藝進(jìn)行研究。