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更新時(shí)間:2025.06.01
開(kāi)關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

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本文研究了開(kāi)關(guān)電源中MOSFET漏源極電壓電磁干擾的頻譜特性,通過(guò)提取MOSFET漏源極時(shí)域電壓信號(hào)的特征參數(shù), 對(duì)其波形進(jìn)行了仿真,分析了該信號(hào)電磁干擾的頻譜特點(diǎn),并分別研究了信號(hào)中各參數(shù)對(duì)頻譜的影響,Matlab仿真表明,該研究結(jié)果對(duì)解決電磁干擾問(wèn)題具有很好的參考和利用價(jià)值。

集成低電流IC和P溝道MOSFET的電源開(kāi)關(guān)芯片

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