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更新時間:2025.05.11
DBR對不同波長AlGaInP LED芯片發光強度的影響

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利用MOCVD方法,在GaAs襯底上生長了不同DBR結構的紅光和黃綠光AlGaInP四元外延片,并通過芯片工藝制成芯片。使用X-射線衍射儀(HRXRD)、光致發光儀(PL)、芯片光電測試儀等表征了外延片和芯片的性能,研究了紅光和黃綠光AlGaInP四元外延片的發光強度與DBR結構的關系。結果表明,紅光AlGaInP LED芯片的發光強度高于黃綠光,其主要原因是黃綠光有源區的內量子效率低和黃綠光DBR具有較小的反射率,從而導致較低的發光強度。本研究為今后LED全結構的芯片亮度研究打下良好基礎。

LED波長對照表

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我們知道,光的波長就是光在單位時間內通過的位移。 公式為 λ=TV=V/f 因為光的色彩是 由光的波長決定的, 而不同色光的光速都是相同的, 都等同光在真空中的速度, 而波長不同 的跟本原因是因為不同色光的頻率不相同,而波長與頻率成反比,紅光的頻率最小,因此, 紅光波長最長。有關不同種類 LED 燈的波長我們可以參照下表:

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