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利用MOCVD方法,在GaAs襯底上生長了不同DBR結構的紅光和黃綠光AlGaInP四元外延片,并通過芯片工藝制成芯片。使用X-射線衍射儀(HRXRD)、光致發光儀(PL)、芯片光電測試儀等表征了外延片和芯片的性能,研究了紅光和黃綠光AlGaInP四元外延片的發光強度與DBR結構的關系。結果表明,紅光AlGaInP LED芯片的發光強度高于黃綠光,其主要原因是黃綠光有源區的內量子效率低和黃綠光DBR具有較小的反射率,從而導致較低的發光強度。本研究為今后LED全結構的芯片亮度研究打下良好基礎。
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