本書分析了CMOS模擬集成電路設計理論與技術,全書由18章組成。從CMOS集成電路的工藝著手,介紹了CMOS模擬集成電路的基礎,即MOS器件物理以及高階效應,然后分別介紹了模擬集成電路中的各種電路模塊:基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運算放大器、基準電壓源、開關電容電路、集成電壓比較器、數/模轉換與模/數轉換以及振蕩器與鎖相環等。另外,在第6章、第7章與第10章中還特別介紹了CMOS模擬集成電路的頻率響應、穩定性、運算放大器的頻率補償及其反饋電路特性,在第8章與第12章中還分析了噪聲與非線性。

本書作為CMOS模擬集成電路的教材,可供本科生高年級與研究生使用,也可供從事相關專業的技術人員參考。

第一章 CMOS集成電路制造工藝

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

第二章 基本MOS器件物理

第三章 單級放大器

運放是運算放大器的簡稱。在實際電路中，通常結合反饋網絡共同組成某種功能模塊。由于早期應用于模擬計算機中，用以實現數學運算，故得名“運算放大器”，此名稱一直延續至今。運放是一個從功能的角度命名的電路單元，可以由分立的器件實現，也可以實現在半導體芯片當中。隨著半導體技術的發展，如今絕大部分的運放是以單片的形式存在。現今運放的種類繁多，廣泛應用于幾乎所有的行業當中。

第四章 恒流源電路

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期待多年之后，備受尊敬的兩位作者Phillip E. Allen和Douglas R.Holberg又為讀者奉上了經典教材《CMOS模擬集成電路設》的第二版。作者從CMOS技術的前沿出發，將他們豐富的實踐經驗與教學經驗相結合，對CMOS模似電路設計的原理和技術給出了深入和詳盡的論述，本書有兩個主要目標：

將理論和實踐完美結事，在內容處理上既不膚淺也不拘泥于細節；

使讀者能夠應用層次化設計的方法進行模擬集成電路設計；

第二版中講到的多數技術和原理在過去的十年中已經介紹給了工業界的讀者，他們提出的問題和需求對本書的修訂起了很大的作用，從而使新版教材成為更有價值的工程技術人員的參考書。

本書的特點是獨特的設計方法，該方法可使讀者一步一步地經歷創建實際電路的過程，并能夠分析復雜的設計問題。本書詳細計論了容易被忽略的問題，同時有意識地談化了雙極型模擬電路，因為CMOS是模擬集成電路設計的主流工藝。本書適用于具有一定基礎電子學背景知識的高年級本科生和研究生，這些知識主要包括：偏置、建模、電路分析和頻率響應。本書提供了一個完整的設計流程圖，使讀者能夠用CMOS技術完成模擬電路設計。

《CMOS模擬集成電路設計》（第2版）（英文版）是模擬集成電路設計課的一本經典教材。全書共分5個部分。主要介紹了模擬集成電路設計的背景知識、基本MOS半導體制造工藝、CMOS技術、CMOS器件建模，MOS開關、MOS二極管、有源電阻、電流阱和電流源等模擬CMOS分支電路，以及反相器、差分放大器、共源共柵放大器、電流放大器、輸出放大器等CMOS放大器的原理、特性、分析方法和設計，CM0S運算放大器、高性能CMOS運算放大器、比較器，開關電容電路、D/A和A/D變換器等CMOS模擬系統的分析方法、設計和模擬等內容。

該書可作為高等學校電子工程、微電子學、計算機科學、電機工程與應用電子技術等專業的的教科書，以及有關專業的選修課教材或研究生教材、教學參考書；也可作為在職的模擬集成電路設計工程師或與模擬集成電路設計有關的工程師的進修教材或工程設計參考書。

本書闡述CMOS集成電路分析與設計的相關知識： 主要介紹CMOS模擬集成電路設計的背景、MOS器件物理及建模等相關知識； 分析電流源、電流鏡和基準源，以及共源極、共漏極、共柵極和共源共柵極等基本放大器結構、原理、分析與設計技術； 同時分析電路的頻率、噪聲等特性，并進一步討論運算放大器、反饋結構及其穩定性和頻率補償； 然后討論開關電容電路、比較器，進而介紹數模轉換器和模數轉換器的基本結構和工作原理； 最后討論與CMOS模擬集成電路相關的版圖設計技術。 本書可作為高等院校電子信息類本科生和研究生教材，也可作為相關領域工程師的參考用書 。