產品尺寸300＊250mm；2～3s/片。

電池批量化組裝。 2100433B

疊片機其工作原理是將正、負極片裝入料盒中，機械手左右運動，在正、負極料盒中拾取極片，經二次定位，交替將正、負極片放在疊片臺上。隔膜主動放卷，疊片臺帶動隔膜左右往復移動形成Z字疊繞。疊片完成后，按照設定長度切斷，自動送出人工貼膠。

多元化合物太陽能電池指不是用單一元素半導體材料制成的太陽能電池。現在各國研究的多元化合物太陽能電池品種繁多，但絕大多數尚未工業化生產。半導體化合物GaAs，CdTe，Cu(In, Ga)Se2(CIGS)的禁帶寬度接近于光伏電池所要求的最佳禁帶寬度，它們具有高的光電轉化效率，又有較低的制作成本，可以用來制造薄膜疊層太陽能電池。

GaAs 是III-V 族半導體材料，禁帶寬度1.42 eV，與太陽光譜匹配，是理想的太陽能電池材料。單結GaAs 電池只能吸收特定光譜的太陽光，轉換效率不高。不同禁帶寬度的III-V

族材料制備的多結GaAs 電池，按禁帶寬度由大到小疊合，這些III-V 族材料分別吸收和轉換太陽光譜的不同子域， 可大幅提高太陽能電池的光電轉換效率。由于鎵比較稀缺，砷有毒，制造成本高，此類太陽能電池的發展受到一定的影響。目前， 國際上已對AlGaAs/GaAs，GaInP2 /GaAs，GaInAs/Inp，GaInP/GaInAs 等雙結疊層太陽能電池進行過研究， 其中對GaInP2 /GaAs 疊層太陽能電池的研究居多。

這種電池結構首先由Olson 在1990 年提出，他發現GaInP2材料可以作為疊層太陽能電池的頂層電池。目前國外報道的GaInP2 /GaAs 雙結疊層太陽電池的光轉換效率已達25.7%。產業化成熟產品轉換效率約23.1%， 并逐步用作衛星等航天器的供電電源，前景十分廣闊。不過，造價昂貴一直是GaInP2 /GaAs 疊層電池難以大批量生產的直接原因， 選用價格低廉的Ge 襯底是降低成本， 減小GaInP2 /GaAs 疊層太陽能電池自身重量的有效途徑。國外對此已研究多年，近年國內研究也開始深入。上海交通大學物理系的陳鳴波、崔容強等采用低壓金屬有機物化學氣相沉積工藝制備P-N 型的GaInP2 /GaAs 疊層太陽能電池樣品，并對GaInP2頂層電池進行改進，制得的電池光電轉換效率為23.82%。其他雙結太陽能電池如Al0.37Ga0.63As/GaAs(Ge)兩者的禁帶寬度分別為1.93 eV 和1.42 eV，正處于疊層太陽能電池所需的最佳匹配范圍，其效率達到23%。

在雙結電池的基礎上，1993 年在國外就有報道研制出三結Ga0.5In0.5P/GaAs/Ge 疊層太陽能電池。1996 年，美國光譜實驗室研制的該類電池的最高效率達到25.7%， 小批量生產平均效率達到23.8%，1997 年大批量生產平均效率達到24.5%。2000 年最高效率達到29%，2002 年大批量生產平均效率達到26.5%。目前，國際上從事多結電池批產的最知名的兩家公司是美國的光譜實驗室和Emcore 公司， 其年批產能力分別為500 kW 和200 kW。

作為II-VI 族化合物半導體CdTe，是禁帶寬度為1.46 eV的直接禁帶半導體，很接近太陽能電池需要的最優化禁帶寬度，吸收系數約為105 cm-1，就太陽輻射光譜中能量高于CdTe禁帶寬度的范圍而言，1μm 厚的CdTe 可以有效吸收其99%[10-11]。目前，國內的CdS/CdTe 太陽電池是研究熱點，報道的最高光電轉換率是由李愿杰等[12]制造的單層CdS/CdTe，效率為13.38%。該實驗室還制造出多層疊層CdS/CdTe 太陽能電池，結構為CdS/CdTe/CdS/CdTe/ZnTe:Cu/Ni。這種疊層太陽能電池的效率可以達到8.16%。

Cu(In, Ga)Se2(CIGS)太陽能電池的光電轉化效率高、性能穩定、抗輻射能力強，且制造成本低，倍受重視，是新一代太陽能電池。它的最高的轉換效率已經達到19.5%。為了提高效率，可以制成CGS/CIS 層疊太陽能電池，這種電池的轉換效率據報道已經達到33.9%，該疊層電池的穩定性、直接帶寬、高吸收系數對于生產低成本、高效率的兩結疊層太陽能電池來說是可取的。對于兩結疊層太陽能電池，其頂層電池對全部轉換效率的貢獻大，所以要達到CGS/CIS 25%的轉換效率，需要轉換效率大于15%高質量的CGS 頂層電池。