隨著半導體工藝技術的不斷完善與創新以及大規模集成電路開發設計水平的逐步提高，一方面由于器件工藝尺寸在不斷縮小，短溝道、量子效應等小尺寸效應越來越明顯，而LDMOS器件由于具有漂移區，在這方面有比較好的適應能力。另一方面，LDMOS應用廣泛，但是其SPICE模型的研究還不充分，基于器件物理基礎的電路模型還未建立起來。因此，我們提出“高壓LDMOS的新結構和解析集約-等效電路模型研究”項目，擬將以高壓LDMOS作為研究對象，探索高壓LDMOS的新工藝、新材料和新結構，以獲得性能更好的高壓LDMOS，為集成電路設計提供更多選擇，進而從其器件物理出發，結合各次級效應的研究分析，構建解析集約模型和等效電路模型，以發展并完備高壓LDMOS的SPICE模型，從而為大規模集成電路設計提供幫助。此項目具有重要的理論意義和實際應用價值。

隨著半導體技術的發展，對高壓半導體器件的性能要求也越來越高，在器件結構方面的設計需求也相應的越來越大。另一方面，對于器件的應用方面，高壓器件的模型構建還不夠充分和完善，基于器件物理基礎的電路模型還未建立起來。本項目擬將以高壓LDMOS作為研究對象。（1）針對漂移區以及SOI-LDMOS 中的埋氧層進行設計。1）提出了提出了一種基于部分絕緣襯底硅兼具階梯摻雜漂移區和N 型硅島的高壓LDMOS，此種結構能打破傳統硅埋層在長度和厚度上的限制，獲得更高的硅埋層設計自由度，從而更好的改善器件的擊穿電壓和導通電阻；2）提出了一種具有對稱氧化溝槽的高壓LDMOS，能明顯提升器件擊穿電壓，盡管導通電阻變大了，但是器件的品質因素還是有了明顯改善。兩種新結構為器件選取提供了更多的選擇。（2）主要針對高壓PSOI-LDMOS 的尺寸效應進行研究探索，著重考慮尺寸參數間的匹配器件性能的影響。研究表明器件在長厚比例值（L/t）為6時可以獲得最大擊穿電壓。此結論為器件設計人員提供參數選擇的理想參考值。（3）混合型硅埋層結構對器件性能改善的方法：利用P埋層和N埋層相結合，可以極大的提高器件性能，而且和其他方法有較好的兼容性。它為器件設計提供了一種新方法。綜合來說，此項目研究為器件和集成電路設計者提供了更多的器件結構選擇和參數選取參考。 2100433B

由于結構構成機理的特殊性，結構剛度是索網、索穹頂等柔性預張力結構在役期性能評價的核心內容。本項目提出了一種以需求剛度為監測重點的在役期柔性預張力結構剛度性能評價新思路并開展相關的理論研究。以剛度解析理論研究為出發點，目的是能夠在結構層面區分線彈性剛度和幾何剛度的貢獻大小，且能定量描述構件自身彈性剛度和預張力對結構整體剛度的貢獻。研究數值方法用于從結構整體剛度中分離出抵抗結構主控荷載變形的需求剛度分量，并以此作為評價在役期結構剛度性能的重點。為配合動力方法對結構剛度的直接檢測，研究最能體現需求剛度的結構特征模態的解析方法，并發展相應的傳感器優化布置理論。研究基于實測結構模態參數識別結構需求剛度損傷的方法，進而利用剛度解析理論提出能指導結構剛度缺陷修復和補償的理論方法。

1.熱穩定性；2.頻率穩定性；3.更高的增益；4.提高的耐久性；5.更低的噪音；6.更低的反饋電容；7.更簡單的偏流電路；8.恒定的輸入阻抗；9.更好的IMD性能；10.更低的熱阻；11.更佳的AGC能力。LDMOS器件特別適用于CDMA、W-CDMA、TETRA、數字地面電視等需要寬頻率范圍、高線性度和使用壽命要求高的應用。2100433B