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光纖連接器用插芯已經使用陶瓷注射成型技術進行大批量的生產,而所使用的陶瓷材料就是氧化鋯。在各種金屬氧化物陶瓷材料中,氧化鋯的高溫熱穩定性、隔熱性能最好,最適宜做陶瓷涂層和高溫耐火制品;以氧化鋯為主要原料的鋯英石基陶瓷顏料,是高級釉料的重要成分;氧化鋯的熱導率在常見的陶瓷材料中最低,而熱膨脹系數又與金屬材料較為接近,成為重要的結構陶瓷材料;特殊的晶體結構,使之成為重要的電子材料;氧化鋯的相變增韌等特性,成為塑性陶瓷材料的寵兒;良好的機械性能和熱物理性能,使它能夠成為金屬基復合材料中性能優異的增強相。所以光纖連接器陶瓷插芯材料采用釔穩定的納米氧化鋯粉體原料(Y- PSZ)。

PIN針造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規格/型號 市場價
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羅化光源

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羅化光源

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寧波

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合成技術型惠眾 品種:汽油機油;質量等級:SL;規格:5W30;說明:4L; 查看價格 查看價格

濟大

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材料名稱 規格/型號 除稅
信息價
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信息價
行情 品牌 單位 稅率 地區/時間
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材料名稱 規格/需求量 報價數 最新報價
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是光通信網絡的一個重要部件,是陶瓷粉末注射成型(Ceramic Injection Molding, CIM)的產品。光纖連接器是光纖通信系統中不可缺少的無源器件,主要用于實現系統中設備間、設備與儀表間、設備與光纖間以及光纖與光纖間的非永久性兩個端面精密地對接起來,使發射光纖輸出的光能量最大限度地耦合到接收光纖中。大多數的光纖連接器由三部分組成:兩個配合插頭(插芯)和一個耦合套筒。兩個插芯裝進兩根光纖尾端;耦合套筒起對準的作用,套筒多配有金屬或非金屬法蘭,以便于連接器的安裝固定。

PIN針材料為“碳化鎢”原料也就是硬質合金:硬質合金具有很高的硬度、強度、耐磨性和耐腐蝕性,被譽為“工業牙齒”,用于制造切削工具、刀具、鈷具和耐磨零部件,廣泛應用于軍工、航天航空、機械加工、冶金、石油鉆井、礦山工具、電子通訊、建筑等領域,伴隨下游產業的發展,硬質合金市場需求不斷加大。并且未來高新技術武器裝備制造、尖端科學技術的進步以及核能源的快速發展,將大力提高對高技術含量和高質量穩定性的硬質合金產品的需求。

PIN針技術常見問題

  • 誰能介紹下五針松育苗技術?

    答:五針松因五葉叢生而得名。五針松品種很多,其中以針葉最短(葉長2厘米左右)、枝條緊密的大板松最為名貴。目前,五針松盆景已在中國各地普遍栽種。五針松植株較矮,生長緩慢,葉短枝密,姿態高雅,樹形優美,是...

  • 栽培秀針菇的技術

    一、秀珍菇又名印度鮑魚菇,別名環柄斗菇,蠔菇,是鳳尾菇,平菇的一種,秀珍菇在分類學上屬于真菌門,擔子菌綱,傘菌目,側耳(白蘑)科,側耳屬.秀珍菇具有很強的腐生能力,可以在稻草,麥稈,香蕉稈,廢棉,茶葉...

  • 五針松繁殖技術是什么

    五針松是極其名貴的觀賞植物,通過盆栽造型,可加工成古樸蒼勁的盆景,成為具有很高觀賞價值的有生命的藝術品。由于五針松生長緩慢,繁殖困難,所以更顯得珍貴。其繁殖技術如下:一、腹接繁殖法1.砧木于12月至翌...

光纖連接器陶瓷插芯作為光通信技術配件,陶瓷粉末注射成型模具配套使用的插芯芯

PIN針屬于高精密的產品,公差要求是±0.001—±0.0005。陶瓷粉末注射成型生產陶瓷插芯的作業中,要求芯針耐酸、耐腐蝕、耐高溫等一系列高要求環境,對于硬質合金這樣的工業牙齒來說,完全勝任這樣的高溫腐蝕環境作業。硬質合金芯針在陶瓷粉末注射成型模具生產納米氧化鋯的過程中,適應其高溫工作環境,長效持久作業使陶瓷插芯的規模化、批量化生產作業成為最直接的體現形式。

根據不同設備搭配作業的不同芯針型號不同,可以根據要求訂做陶瓷插芯芯針、PIN針,按照陶瓷粉末注射成型模具配套要求定制加工插芯針。由于陶瓷插芯芯針要求精密,通常按照圖紙要求訂做為主。

了解了以上的三點,在這里,PIN針在連接器中的作用是什么?相信就不難解決了。一般,PIN針在連接器中,最為明顯的兩個作用是完成電(信號)的導電(傳輸)。2100433B

PIN針技術文獻

微波控制電路中PIN管的引線互連技術 微波控制電路中PIN管的引線互連技術

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頁數: 5頁

評分: 4.8

說明了對微波器件"PIN管"在引線互連方面的特殊要求,即鍵合兩根"交叉線"所獲得的微波性能大大優于鍵合單根引線,達到了低插損、低駐波、高隔離度的指標要求,使微波控制電路的高頻性能更加優良;簡要介紹了"鍵合交叉線"工藝技術的改進與優化,并且詳細敘述了"交叉線"鍵合工藝的具體操作方法。

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高可靠性PIN光電探測器底座封裝技術 高可靠性PIN光電探測器底座封裝技術

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頁數: 未知

評分: 4.7

PIN探測器因其響應速度快,約10~(-7)秒;低偏壓下漏電流低,約在10~(-10)A數量級;響應頻帶寬等諸多優點在光纖通信、光纖傳感等領域應用廣泛。但是日前已用的PIN探測器普遍存在一個缺點:由于其封裝的引腳纖細,使用可靠性較差,不易焊接,加之PIN探測器價格昂貴,如何設計高可靠性的封裝已經成為亟待解決的問題。

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pin 二極管開關電路設計

由于PIN二極管可以根據不同的射頻微波信號表現出不同阻抗特性,因此,利用直流電平信號對射頻微波信號進行控制,從而控制PIN二極管的阻抗,實現電路開關的功能。實際中,PIN二極管用作射頻開關均會產生一定的電抗和損耗電阻,應用中要求將降低這些影響。

pin 二極管衰減電路設計

衰減器的主要作用是探知系統插損的電路,例如Pi型T型插損探知衰減電路,電阻網絡即可作為簡單的衰減器。衰減器在射頻電路中廣泛使用,不僅可以隔離兩個放大級,而且可以通過對衰減器的控制從而達到信道APC和AGC的功能。

將兩個相同的PIN二極管串聯,相當于衰減模型的串聯電阻,這樣使得衰減電路的動態范圍明顯增加,偶次失真被消除。另外,也簡化了匹配和偏置電路,但是也增加了插入電路的耗損。在此電路中,控制衰減電壓幅度,可以實現控制射頻信號的衰減。

pin 二極管調制電路設計

PIN二極管對于射頻信號可以表現出不同的衰減程度,可以利用這一特性設計出AM調制電路。由RF或微波單頻信號等射頻載波信號以及低頻調制信號(一般在DC-10MHz范圍內)共同完成其調制過程。PIN二極管偏置電流由低頻調制信號進行控制,通過PIN二極管的載波幅度大小的變化而產生調制波形。 2100433B

pin二極管特性

加負電壓(或零偏壓)時,PIN管等效為電容+電阻;加正電壓時,PIN管等效為小電阻。用改變結構尺寸及選擇PIN二極管參數的方法,使短路的階梯脊波導的反射相位(基準相位)與加正電壓的PIN管控制的短路波導的反射相位相同。還要求加負電壓(或0偏置)的PIN管控制的短路波導的反射相位與標準相位相反(-164°~+164°之間即可)。

圖1給出了PIN二極管在正向導通時的電荷分布情況.為簡化起見,我們假設I區域中電子與空穴分布對稱且分布密度相同.設x=-d處的空穴分布密度為p1,在[-d,0]區域中的剩余空穴電荷為q2,且位于x=-d/2處,這樣此區域的平均空穴密度為:p2=q2/qAd.這里A為結面積,q為單位電荷.

圖1 PIN二極管的電荷分布

由于P+區域的空穴密度遠大于電子密度,這樣在x=-d處的電子電流可以忽略(所引起的誤差將在下文討論).二極管的電流密度可以表示為[9]

其中 Da為擴散常數;Jh為空穴電流密度.

二極管的電流為

電荷q2與電流的關系式為

其中 τa為壽命時間.

式(2)及式(3)描述了二極管的模型,通過定義qE=2q1, qM=2q2及T=d2/2Da,兩式可簡化為

圖2表示了在感性負載時二極管的關斷過程.此過程可分為兩個階段:從t=T0到t=T1,二極管處于低阻抗狀態,其電壓近似為0,在t=T1時刻,二極管中I區域邊緣的剩余電荷變為0,二極管開始呈現高阻抗狀態.在式(4)、(5)中令qE=0可得t=T1時刻后二極管的電流為

其中 τ?rr由式(7)給出,I?rr為反向恢復電流峰值.

圖2 反向恢復電流波形

一般情況下,t?rr、I?rr及測試條件di/dt、I?FM均在器件的產品手冊上列出.根據式(6)及測試條件,τ?rr可由下式獲得

其中 a=-di/dt.

根據圖2所示的反向電流波形,qM在t≤T1階段的表達式為

當t=T1時,i(T1)=-I?rr=-qM(T1)/T,代入上式得式(10),τa可由此式解出

然后參數T可由τa、T及τ?rr的關系式(7)算出.

從以上的討論可以看出,該模型的參數可以方便地從產品手冊中得到:首先由式(8)計算τ?rr,再從式(10)解得τa,最后由式(7)決定參數T。

加負電壓(或零偏壓)時,PIN管等效為電容 電阻;加正電壓時,PIN管等效為小電阻。用改變結構尺寸及選擇PIN二極管參數的方法,使短路的階梯脊波導的反射相位(基準相位)與加正電壓的PIN管控制的短路波導的反射相位相同。還要求加負電壓(或0偏置)的PIN管控制的短路波導的反射相位與標準相位相反(-164°~ 164°之間即可)。

圖1給出了PIN二極管在正向導通時的電荷分布情況.為簡化起見,我們假設I區域中電子與空穴分布對稱且分布密度相同.設x=-d處的空穴分布密度為p1,在[-d,0]區域中的剩余空穴電荷為q2,且位于x=-d/2處,這樣此區域的平均空穴密度為:p2=q2/qAd.這里A為結面積,q為單位電荷.

圖1 PIN二極管的電荷分布

由于P 區域的空穴密度遠大于電子密度,這樣在x=-d處的電子電流可以忽略(所引起的誤差將在下文討論).二極管的電流密度可以表示為[9]

其中 Da為擴散常數;Jh為空穴電流密度.

二極管的電流為

電荷q2與電流的關系式為

其中 τa為壽命時間.

式(2)及式(3)描述了二極管的模型,通過定義qE=2q1, qM=2q2及T=d2/2Da,兩式可簡化為

圖2表示了在感性負載時二極管的關斷過程.此過程可分為兩個階段:從t=T0到t=T1,二極管處于低阻抗狀態,其電壓近似為0,在t=T1時刻,二極管中I區域邊緣的剩余電荷變為0,二極管開始呈現高阻抗狀態.在式(4)、(5)中令qE=0可得t=T1時刻后二極管的電流為

其中 τ"para" label-module="para">

圖2 反向恢復電流波形

一般情況下,t"para" label-module="para">

其中 a=-di/dt.

根據圖2所示的反向電流波形,qM在t≤T1階段的表達式為

當t=T1時,i(T1)=-I"para" label-module="para">

然后參數T可由τa、T及τ"para" label-module="para">

從以上的討論可以看出,該模型的參數可以方便地從產品手冊中得到:首先由式(8)計算τ"sup--normal" data-sup="2" data-ctrmap=":2,"> [2]

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